řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 522 A 40 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 165-5324
- Výrobní číslo:
- IRFS7430TRL7PP
- Výrobce:
- Infineon
Mezisoučet (800 jednotky/-ek, v kotouči po 800 ks)*
34 038,40 Kč
(bez DPH)
41 186,40 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 4 800 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 800 + | 42,548 Kč | 34 038,40 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 165-5324
- Výrobní číslo:
- IRFS7430TRL7PP
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 522A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 6 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 750μΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 375W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -20V, +20V | |
| Přímé napětí Vf | 0.8V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 305nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 10.67mm | |
| Výška | 4.83mm | |
| Šířka | 9.65mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 522A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 6 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 750μΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 375W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V | ||
Přímé napětí Vf 0.8V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 305nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 10.67mm | ||
Výška 4.83mm | ||
Šířka 9.65mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Nelze použít
- Země původu (Country of Origin):
- MX
N-kanálový výkon MOSFET 40 V, Infineon
Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení N-channel v povrchové montáži a v olovnatých obalech a v provedení, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.
Tranzistory MOSFET, Infineon
Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET IRFS7430TRL7PP N-kanálový 522 A 40 V Infineon počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 522 A 40 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET AUIRFS8409-7TRL N-kanálový 522 A 40 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 160 A 40 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 105 A 150 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 33 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 400 A 40 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 30 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení