řada: HEXFET MOSFET IRFS7730TRL7PP N-kanálový 269 A 75 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 218-3124
- Výrobní číslo:
- IRFS7730TRL7PP
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
570,32 Kč
(bez DPH)
690,085 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 1 095 jednotka(y) budou odesílané od 07. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 114,064 Kč | 570,32 Kč |
| 25 - 45 | 100,38 Kč | 501,90 Kč |
| 50 - 120 | 93,564 Kč | 467,82 Kč |
| 125 - 245 | 86,598 Kč | 432,99 Kč |
| 250 + | 80,966 Kč | 404,83 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 218-3124
- Výrobní číslo:
- IRFS7730TRL7PP
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 269A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 75V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 7 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 2mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 428nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 375W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 10.67mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 9.65mm | |
| Šířka | 4.83mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 269A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 75V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 7 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 2mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 428nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 375W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 10.67mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 9.65mm | ||
Šířka 4.83mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon HEXFET série single N-kanál napájení MOSFET. Integrovaný s typem D2PAK 7pin (TO-263 7pin).
Bezolovnaté, vyhovuje směrnici RoHS
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 269 A 75 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 75 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 100 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 183 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 246 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 106 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 128 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFS7730TRLPBF Typ N-kanálový 246 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení