řada: HEXFET MOSFET IRF1010ESTRLPBF Typ N-kanálový 84 A 60 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 222-4733
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-39-411
- Výrobní číslo:
- IRF1010ESTRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
328,76 Kč
(bez DPH)
397,80 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 40 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 32,876 Kč | 328,76 Kč |
| 50 - 90 | 31,246 Kč | 312,46 Kč |
| 100 - 240 | 29,912 Kč | 299,12 Kč |
| 250 - 490 | 28,603 Kč | 286,03 Kč |
| 500 + | 26,627 Kč | 266,27 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 222-4733
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-39-411
- Výrobní číslo:
- IRF1010ESTRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 84A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 12mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 86.6nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 170W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 10.67mm | |
| Výška | 4.83mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 84A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 12mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 86.6nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 170W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 10.67mm | ||
Výška 4.83mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Konstrukce výkonových tranzistorů MOSFET HEXFET® Infineon, známých také jako tranzistory MOSFET, představuje ’tranzistory s polovodičovým polem na bázi oxidu kovu’. MOSFETy jsou tranzistorová zařízení, která jsou řízena kondenzátorem. „Field-Effect“ znamená, že jsou řízeny napětím. Cílem MOSFET je řídit tok proudu procházejícího ze zdroje do svorek pro vypouštění.
Procesní technologie Advanced
Velmi nízká odolnost proti rozhnutí Rychlé přepínání
Bezolovnaté, V souladu s RoHS
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 84 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 84 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRF1010EPBF Typ N-kanálový 84 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRF1010EZPBF Typ N-kanálový 84 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 14 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 400 A 40 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 293 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 190 A 100 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení