AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200, řada: DMN MOSFET DMN66D0LDWQ-7 Typ N-kanálový 217 mA 60 V, SOT-363, počet kolíků: 6

Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
Typy balení:
Skladové číslo RS:
222-2848
Výrobní číslo:
DMN66D0LDWQ-7
Výrobce:
DiodesZetex
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

DiodesZetex

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

217mA

Maximální napětí na zdroji Vds

60V

Řada

DMN

Typ balení

SOT-363

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

6

Maximální odpor zdroje Rds

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

250mW

Přímé napětí Vf

0.8V

Konfigurace tranzistoru

Duální

Maximální provozní teplota

150°C

Délka

2.15mm

Normy/schválení

RoHS, J-STD-020, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0

Výška

0.95mm

Automobilový standard

AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200

Duální N-kanálový režim zesílení DiodesZetex MOSFET je navržen tak, aby splňoval přísné požadavky automobilových aplikací. Je kvalifikován pro AEC-Q101, podporovaný PPAP.

Dvojitý tranzistor MOSFET N-kanál

Nízký odpor při zapnutí

Nízké prahové napětí hradla

Nízká vstupní kapacita

Vysoká spínací rychlost

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.