AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100, řada: DMN MOSFET DMN62D4LDW-7 Typ N-kanálový 261 mA 60 V, SOT-363, počet kolíků: 6

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 balení po 50 kusech)*

265,30 Kč

(bez DPH)

321,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 2 850 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za balení*
50 - 505,306 Kč265,30 Kč
100 - 2002,579 Kč128,95 Kč
250 - 4502,514 Kč125,70 Kč
500 - 9502,376 Kč118,80 Kč
1000 +2,317 Kč115,85 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
222-2844
Výrobní číslo:
DMN62D4LDW-7
Výrobce:
DiodesZetex
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

DiodesZetex

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

261mA

Maximální napětí na zdroji Vds

60V

Typ balení

SOT-363

Řada

DMN

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

6

Maximální odpor zdroje Rds

3Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon Pd

0.45W

Typický náboj brány Qg @ Vgs

0.51nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Přímé napětí Vf

0.8V

Maximální provozní teplota

150°C

Konfigurace tranzistoru

Duální

Normy/schválení

RoHS

Automobilový standard

AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100

Duální n-kanálový MOSFET DiodesZetex je navržen tak, aby minimalizoval odpor v zapnutém stavu (RDS(ON)), a přitom udržoval vynikající spínací výkon, což z něj činí ideální řešení pro aplikace řízení spotřeby s vysokou účinností.

Dvojitý tranzistor MOSFET N-kanál

Nízký odpor při zapnutí

Nízké prahové napětí hradla

Nízká vstupní kapacita

Vysoká spínací rychlost

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.