AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100, řada: DMN MOSFET DMN62D4LDW-7 N-kanálový 261 mA 60 V, SOT-363, počet kolíků: 6 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 222-2844
- Výrobní číslo:
- DMN62D4LDW-7
- Výrobce:
- DiodesZetex
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 50 kusech)*
212,20 Kč
(bez DPH)
256,75 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 2 850 jednotka(y) budou odesílané od 07. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 4,244 Kč | 212,20 Kč |
| 100 - 200 | 2,059 Kč | 102,95 Kč |
| 250 - 450 | 2,008 Kč | 100,40 Kč |
| 500 - 950 | 1,901 Kč | 95,05 Kč |
| 1000 + | 1,855 Kč | 92,75 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 222-2844
- Výrobní číslo:
- DMN62D4LDW-7
- Výrobce:
- DiodesZetex
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | DiodesZetex | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 261mA | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | SOT-363 | |
| Řada | DMN | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 6 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 3Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 0.45W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 0.51nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | 0.8V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Konfigurace tranzistoru | Duální | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka DiodesZetex | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 261mA | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení SOT-363 | ||
Řada DMN | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 6 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 3Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 0.45W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 0.51nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf 0.8V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Konfigurace tranzistoru Duální | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | ||
Duální n-kanálový MOSFET DiodesZetex je navržen tak, aby minimalizoval odpor v zapnutém stavu (RDS(ON)), a přitom udržoval vynikající spínací výkon, což z něj činí ideální řešení pro aplikace řízení spotřeby s vysokou účinností.
Dvojitý tranzistor MOSFET N-kanál
Nízký odpor při zapnutí
Nízké prahové napětí hradla
Nízká vstupní kapacita
Vysoká spínací rychlost
Související odkazy
- AEC-Q200 AEC-Q100 SOT-363, počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex
- AEC-Q100 AEC-Q101 SOT-363, počet kolíků: 6
- AEC-Q101 AEC-Q200 SOT-363, počet kolíků: 6
- AEC-Q200 AEC-Q100 SOT-363, počet kolíků: 6
- AEC-Q200 AEC-Q100 SOT-363, počet kolíků: 6 kolíkový
- AEC-Q100 AEC-Q101 SOT-363, počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex
- AEC-Q101 AEC-Q200 SOT-363, počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex
- AEC-Q101 SOT-363, počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex