AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100, řada: DMN MOSFET Typ N-kanálový 261 mA 60 V, SOT-363, počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex

Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*

3 207,00 Kč

(bez DPH)

3 879,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 21. prosince 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za cívku*
3000 +1,069 Kč3 207,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
222-2843
Výrobní číslo:
DMN62D4LDW-7
Výrobce:
DiodesZetex
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

DiodesZetex

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

261mA

Maximální napětí na zdroji Vds

60V

Typ balení

SOT-363

Řada

DMN

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

6

Maximální odpor zdroje Rds

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Přímé napětí Vf

0.8V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

0.51nC

Maximální ztrátový výkon Pd

0.45W

Konfigurace tranzistoru

Duální

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

RoHS

Automobilový standard

AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100

Duální n-kanálový MOSFET DiodesZetex je navržen tak, aby minimalizoval odpor v zapnutém stavu (RDS(ON)), a přitom udržoval vynikající spínací výkon, což z něj činí ideální řešení pro aplikace řízení spotřeby s vysokou účinností.

Dvojitý tranzistor MOSFET N-kanál

Nízký odpor při zapnutí

Nízké prahové napětí hradla

Nízká vstupní kapacita

Vysoká spínací rychlost

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.