řada: OptiMOS 3 MOSFET + Dioda IPB065N10N3GATMA1 Typ N-kanálový 80 A 100 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 220-7383
- Výrobní číslo:
- IPB065N10N3GATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
301,34 Kč
(bez DPH)
364,62 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 865 jednotka(y) budou odesílané od 08. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 60,268 Kč | 301,34 Kč |
| 10 - 95 | 55,18 Kč | 275,90 Kč |
| 100 - 245 | 50,98 Kč | 254,90 Kč |
| 250 - 495 | 47,226 Kč | 236,13 Kč |
| 500 + | 46,04 Kč | 230,20 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 220-7383
- Výrobní číslo:
- IPB065N10N3GATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET + Dioda | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 80A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Řada | OptiMOS 3 | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 6.5mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET + Dioda | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 80A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Řada OptiMOS 3 | ||
Typ balení TO-263 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 6.5mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonové tranzistory MOSFET Infineon 100V OptMOS nabízejí vynikající řešení pro vysoce efektivní a vysoce výkonné SMPS. Ve srovnání s příští nejlepší technologií dosahuje tato rodina snížení o 30 % jak v R DS (ON), tak i v počtu zásluh.
Vynikající spínací vlastnosti
Nejnižší hodnoty R DS(on) na světě
Velice nízké hodnoty Q g a Q gd
Vynikající náboj řídicí elektrody x součin R DS(on) (FOM)
Ohleduplné k životnímu prostředí
Zvýšená účinnost
Nejvyšší hustota výkonu
Vyžadováno méně paralelních zapojení
Zabírá nejméně místa na desce
Snadná konstrukce produktů
Související odkazy
- řada: OptiMOS 3 MOSFET + Dioda Typ N-kanálový 80 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET Typ N-kanálový 80 A 80 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET IPB054N08N3GATMA1 Typ N-kanálový 80 A 80 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET + Dioda IPB031N08N5ATMA1 Typ N-kanálový 120 A 80 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: OptiMOS 3 MOSFET + Dioda IPB019N08N3GATMA1 Typ N-kanálový 180 A 80 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: OptiMOS 3 MOSFET + Dioda Typ N-kanálový 180 A 80 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET + Dioda Typ N-kanálový 120 A 80 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 5 80V MOSFET IPB049N08N5ATMA1 Typ N-kanálový 80 A 80 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový