řada: OptiMOS 3 MOSFET + Dioda IPB031N08N5ATMA1 Typ N-kanálový 120 A 80 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový

Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

398,66 Kč

(bez DPH)

482,38 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 990 jednotka(y) budou odesílané od 01. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za balení*
5 - 2079,732 Kč398,66 Kč
25 - 4566,986 Kč334,93 Kč
50 - 12063,034 Kč315,17 Kč
125 - 24558,194 Kč290,97 Kč
250 +54,242 Kč271,21 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
220-7378
Výrobní číslo:
IPB031N08N5ATMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET + Dioda

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

120A

Maximální napětí na zdroji Vds

80V

Řada

OptiMOS 3

Typ balení

TO-263

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

3.1mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

Průmyslový výkonový MOSFET Infineon OptMOS 5 80V IPB031N08N5 nabízí ve srovnání s předchozími generacemi redukci RDS (ON) o 43 % a je ideální pro vysoké spínací frekvence. Zařízení této řady jsou speciálně navržena pro synchronní opravu telekomunikačních a serverových napájecích zdrojů. Kromě toho mohou být použity i v jiných průmyslových aplikacích, jako je solární, nízkonapěťové pohony a adaptéry.

Optimalizované pro synchronní usměrnění

Ideální pro vysokou spínací frekvenci

Snížení výstupní kapacity až o 44 %

Snížení hodnoty RDS(on) až o 44 %

Nejvyšší účinnost systému

Snížené ztráty ve spínaní a vedení

Vyžadováno méně paralelních zapojení

Zvýšená hustota výkonu

Nízký překmit napětí

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.