řada: OptiMOS 3 MOSFET + Dioda IPB019N08N3GATMA1 Typ N-kanálový 180 A 80 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 220-7376
- Výrobní číslo:
- IPB019N08N3GATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
174,88 Kč
(bez DPH)
211,60 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 892 jednotka(y) budou odesílané od 01. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 87,44 Kč | 174,88 Kč |
| 20 - 48 | 82,25 Kč | 164,50 Kč |
| 50 - 98 | 77,065 Kč | 154,13 Kč |
| 100 - 198 | 71,755 Kč | 143,51 Kč |
| 200 + | 66,445 Kč | 132,89 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 220-7376
- Výrobní číslo:
- IPB019N08N3GATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET + Dioda | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 180A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 80V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | OptiMOS 3 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.9mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET + Dioda | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 180A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 80V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada OptiMOS 3 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.9mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Systém Infineon OptMOS je lídrem na trhu s vysoce účinnými řešeními pro výrobu energie (např. solární mikroměnič), napájení (např. server a telekomunikace) a spotřebu energie (např. elektrické vozidlo).
Optimalizovaná technologie pro měniče DC/DC
Vynikající náboj řídicí elektrody x součin R DS(ON) (FOM)
Špičkový tepelný odpor
Oboustranné chlazení
Nízká parazitní indukčnost
Nízký profil (<0,7 mm)
N-kanál, normální úroveň
Související odkazy
- řada: OptiMOS 3 MOSFET + Dioda Typ N-kanálový 180 A 80 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET Typ N-kanálový 180 A 60 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET Typ N-kanálový 180 A 100 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET Typ N-kanálový 180 A 120 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET Typ N-kanálový 180 A 40 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET IPB011N04NGATMA1 Typ N-kanálový 180 A 40 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET IPB036N12N3GATMA1 Typ N-kanálový 180 A 120 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET IPB025N10N3GATMA1 Typ N-kanálový 180 A 100 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení