řada: OptiMOS 3 MOSFET Typ N-kanálový 180 A 40 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 145-9552
Výrobní číslo:: IPB011N04NGATMA1
Výrobce:: Infineon

řada: OptiMOS 3 MOSFET Typ N-kanálový 180 A 40 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 1000 kusech)*

39 718,00 Kč

(bez DPH)

48 059,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 26. října 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
1000 +	39,718 Kč	39 718,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 145-9552
Výrobní číslo:: IPB011N04NGATMA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	180A
	Maximální napětí na zdroji Vds	40V
	Typ balení	TO-263
	Řada	OptiMOS 3
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	7
	Maximální odpor zdroje Rds	1.1mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	188nC
	Maximální ztrátový výkon Pd	250W
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Přímé napětí Vf	1.2V
	Maximální provozní teplota	175°C
	Délka	10.31mm
	Výška	4.57mm
	Normy/schválení	No
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 180A
	Maximální napětí na zdroji Vds 40V
	Typ balení TO-263
	Řada OptiMOS 3
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 7
	Maximální odpor zdroje Rds 1.1mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 188nC
	Maximální ztrátový výkon Pd 250W
	Minimální provozní teplota -55°C
	Přímé napětí Vf 1.2V
	Maximální provozní teplota 175°C
	Délka 10.31mm
	Výška 4.57mm
	Normy/schválení No
	Automobilový standard Ne

Nelze použít

Země původu (Country of Origin):: CN

MOSFETy Infineon OptiMOS™ řady 3, maximální trvalý proud 180 A, maximální ztrátový výkon 250 W - IPB011N04NGATMA1

Tento tranzistor MOSFET je optimalizován pro vysoce výkonné aplikace v elektrotechnickém a mechanickém odvětví. Má robustní konstrukci a efektivní provoz, takže je vhodný pro automatizační systémy. S maximálním trvalým proudem na drenážích 180 A a maximálním napětím na drenážích 40 V poskytuje zvýšenou účinnost a spolehlivost obvodů.

Vlastnosti a výhody

• Vysoké proudové zatížení zvyšuje účinnost a výkon systému

• Nízký Rds(on) snižuje ztráty energie během provozu

• Konstrukce pro povrchovou montáž umožňuje snadnou integraci do desek plošných spojů

• Schopnost rozptýlit až 250 W, což slouží k různým aplikacím

• Široký rozsah provozních teplot zajišťuje funkčnost v různých prostředích - N-kanálová konfigurace nabízí lepší spínací vlastnosti

Aplikace

• Používá se v systémech řízení motorů a pohonů

• Vhodné pro řízení napájení v průmyslové automatizaci

• Použití v DC-DC měničích a střídačích

• Používá se pro spínání zátěže v rozvodných systémech

• Použitelné v systémech obnovitelných zdrojů energie, jako jsou solární střídače

Jaký je maximální trvalý odtokový proud tohoto zařízení?

Zařízení zvládne až 180 A trvalého proudu, takže je vhodné pro vysoce výkonné aplikace.

Může pracovat při vysokých teplotách?

Ano, má maximální provozní teplotu +175 °C, což umožňuje konzistentní výkon v náročných podmínkách.

Jaké jsou specifikace prahového napětí hradla?

Maximální prahové napětí hradla je 4 V, zatímco minimální je 2 V, což zajišťuje flexibilitu v provozní kompatibilitě.

Jaký typ montáže tato součást podporuje?

Tento výrobek je určen k povrchové montáži, což usnadňuje jednoduchou instalaci na různé desky plošných spojů.

Jak tento tranzistor MOSFET přispívá k energetické účinnosti?

Jeho nízká hodnota Rds(on) 1,1 mΩ výrazně snižuje ztráty výkonu, čímž celkově zvyšuje účinnost elektronických systémů.