řada: OptiMOS 5 MOSFET N-kanálový 180 A 60 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 178-7445
Výrobní číslo:: IPB010N06NATMA1
Výrobce:: Infineon

řada: OptiMOS 5 MOSFET N-kanálový 180 A 60 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 1000 kusech)*

74 133,00 Kč

(bez DPH)

89 701,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

1 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
1000 +	74,133 Kč	74 133,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 178-7445
Výrobní číslo:: IPB010N06NATMA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	N
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	180A
	Maximální napětí na zdroji Vds	60V
	Řada	OptiMOS 5
	Typ balení	TO-263
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	7
	Maximální odpor zdroje Rds	1.5mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Přímé napětí Vf	1.2V
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	208nC
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	-20V, +20V
	Maximální ztrátový výkon Pd	300W
	Maximální provozní teplota	175°C
	Délka	10.31mm
	Šířka	4.57mm
	Normy/schválení	No
	Výška	9.45mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu N
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 180A
	Maximální napětí na zdroji Vds 60V
	Řada OptiMOS 5
	Typ balení TO-263
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 7
	Maximální odpor zdroje Rds 1.5mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Přímé napětí Vf 1.2V
	Minimální provozní teplota -55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 208nC
	Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V
	Maximální ztrátový výkon Pd 300W
	Maximální provozní teplota 175°C
	Délka 10.31mm
	Šířka 4.57mm
	Normy/schválení No
	Výška 9.45mm
	Automobilový standard Ne

IPB010N06N OptiMOS 3 Power Transistor

Výjimka

MOSFET Infineon OptiMOS řady 5, zdrojové napětí vypouštění 60 V, nepřetržitý vypouštěcí proud 180 A – IPB010N06NATMA1

Tento MOSFET je vysokoproudové N-kanálové zesilovací zařízení navržené pro napájecí spínání v aplikacích pro povrchovou montáž. Pracuje v rozšířeném teplotním rozsahu a je vhodný pro náročná elektrická prostředí, kde jsou vyžadovány nízké vodivé ztráty a robustní řízení hradla.

Charakteristiky a výhody:

• Jmenovitý vypouštěcí proud 60 V umožňující přepínání při středním napětí
• Rds(on) 1.5 mΩ snižující ztráty při vedení pro vysokoproudé dráhy
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 180 A pro vysoké zatížení
• Maximální ztrátový výkon 300 W umožňující trvalé tepelné zatížení
• Typický náboj hradla 208 nC umožňující předvídatelné spínání
• Maximální napětí hradla-zdroje 20 V chrání limity pohonu hradla

Aplikace

• Vhodné pro vysokoproudé měniče DC/DC v napájecích systémech
• Ideální pro servery a telekomunikační moduly rozvodu napájení
• Používá se s regulátory motorů vyžadujícími spínače s nízkým odporem při zapnutí
• Lze použít pro správu baterií a úpravu napájení
• Vhodné pro univerzální výkonové stupně v průmyslové elektronice

Jaký tepelný rozsah může zařízení během provozu odolat?

Funguje v teplotách -55 °C až 175 °C, což umožňuje použití v prostředí se startem za studena i při vysokém teple.

Jak je určen k montáži na desku?

Součást je dodávána v pouzdru TO-263 určeném pro montáž na povrch a pájení.

Jaké úvahy o ovládání hradla je třeba dodržovat?

Hradlo nesmí překročit 20 V Vgs a typický náboj hradla 208 nC je třeba vzít v úvahu při velikosti ovladačů tak, aby splňovaly cíle spínací rychlosti a ztrát.

Jaké napětí je relevantní při vedení mezi tělem a diodou?

Napětí přímé vedení je přibližně 1,2 V a mělo by být zahrnuto do výpočtu ztrát u událostí s reverzním proudem.