řada: OptiMOS 5 MOSFET IPB024N10N5ATMA1 Typ N-kanálový 180 A 100 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 214-9009
- Výrobní číslo:
- IPB024N10N5ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
548,34 Kč
(bez DPH)
663,49 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 145 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 109,668 Kč | 548,34 Kč |
| 10 - 20 | 98,75 Kč | 493,75 Kč |
| 25 - 45 | 92,132 Kč | 460,66 Kč |
| 50 - 120 | 85,56 Kč | 427,80 Kč |
| 125 + | 80,028 Kč | 400,14 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 214-9009
- Výrobní číslo:
- IPB024N10N5ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 180A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Řada | OptiMOS 5 | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 7 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 2.4mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 180A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Řada OptiMOS 5 | ||
Typ balení TO-263 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 7 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 2.4mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový MOSFET Infineon OptMOS 5 100V je speciálně navržen pro synchronní rektifikaci v telekomunikačních blocích včetně nebo-ing, hot swap a ochranu baterie, stejně jako pro serverové napájecí aplikace. Zařízení má nižší RDS (ON) o 22% ve srovnání s podobnými zařízeními , jeden z největších přispěvatelů do tohoto odvětví přední FOM je nízký on-state odpor poskytující nejvyšší úroveň hustoty výkonu a účinnosti.
100 % testovány ohledně lavinové funkčnosti
Kvalifikováno podle JEDEC pro cílové aplikace
Související odkazy
- řada: OptiMOS 5 MOSFET Typ N-kanálový 180 A 100 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET Typ N-kanálový 180 A 100 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET Typ N-kanálový 180 A 40 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET Typ N-kanálový 180 A 120 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET Typ N-kanálový 180 A 60 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 5 MOSFET Typ N-kanálový 180 A 60 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 5 MOSFET IPB010N06NATMA1 Typ N-kanálový 180 A 60 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET IPB011N04NGATMA1 Typ N-kanálový 180 A 40 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení