řada: CoolMOS P7 MOSFET IPN95R1K2P7ATMA1 Typ N-kanálový 6 A 950 V Infineon, SOT-223, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 219-6005
Výrobní číslo:: IPN95R1K2P7ATMA1
Výrobce:: Infineon

řada: CoolMOS P7 MOSFET IPN95R1K2P7ATMA1 Typ N-kanálový 6 A 950 V Infineon, SOT-223, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*

231,69 Kč

(bez DPH)

280,34 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč

Skladem

2 870 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za balení*
10 - 40	23,169 Kč	231,69 Kč
50 - 90	22,032 Kč	220,32 Kč
100 - 240	21,094 Kč	210,94 Kč
250 - 490	20,155 Kč	201,55 Kč
500 +	18,772 Kč	187,72 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 219-6005
Výrobní číslo:: IPN95R1K2P7ATMA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	6A
	Maximální napětí na zdroji Vds	950V
	Řada	CoolMOS P7
	Typ balení	SOT-223
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	120mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Přímé napětí Vf	0.9V
	Maximální ztrátový výkon Pd	7W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	15nC
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20 V
	Maximální provozní teplota	150°C
	Délka	6.7mm
	Normy/schválení	No
	Výška	1.8mm
	Šířka	3.7 mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 6A
	Maximální napětí na zdroji Vds 950V
	Řada CoolMOS P7
	Typ balení SOT-223
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 120mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Minimální provozní teplota -55°C
	Přímé napětí Vf 0.9V
	Maximální ztrátový výkon Pd 7W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 15nC
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20 V
	Maximální provozní teplota 150°C
	Délka 6.7mm
	Normy/schválení No
	Výška 1.8mm
	Šířka 3.7 mm
	Automobilový standard Ne

Datasheet - IPN95R1K2P7ATMA1

Nejnovější technologie 950V CoolMOS™ P7 je navržena tak, aby splňovala rostoucí potřeby zákazníků v oblasti vysokonapěťových tranzistorů MOSFET. Zaměřuje se na trh s nízkou spotřebou. Infineon Řada 950V CoolMOS™ P7 nabízí blokovacím napětím o 50 v více než její předchůdce 900V CoolMOS™ C3 a poskytuje vynikající výkon z hlediska účinnosti, tepelného chování a snadného použití. Řada 950V CoolMOS™ P7 je stejně jako ostatní členové rodiny P7 vybavena integrovanou ochranou Zenerovou diodou ESD. Integrovaná dioda výrazně zlepšuje odolnost proti elektrostatickému výnosům, čímž snižuje ztráty výnosů související s elektrostatickými výboji a dosahuje mimořádně snadných úrovní použití. CoolMOS™ P7 je vyvinut s nejlepší VGS (th) 3V a úzkou tolerancí pouze ± 0,5V, což usnadňuje řízení a design-in.

Nejlepší VGS(th) ve své třídě 3V a nejmenší VGS(th) variace ±0.5V

Integrovaná Zenerova dioda ESD ochrana do třídy 2 (HBM)

Nejlepší kvalita a spolehlivost ve své třídě

řada: CoolMOS P7 MOSFET IPN95R1K2P7ATMA1 Typ N-kanálový 6 A 950 V Infineon, SOT-223, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč

Související odkazy