řada: CoolMOS P7 MOSFET IPN80R900P7ATMA1 Typ N-kanálový 6 A 800 V Infineon, SOT-223, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 219-6003
- Výrobní číslo:
- IPN80R900P7ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
258,12 Kč
(bez DPH)
312,33 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 2 370 jednotka(y) budou odesílané od 21. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 25,812 Kč | 258,12 Kč |
| 50 - 90 | 24,552 Kč | 245,52 Kč |
| 100 - 240 | 23,514 Kč | 235,14 Kč |
| 250 - 490 | 22,403 Kč | 224,03 Kč |
| 500 + | 20,896 Kč | 208,96 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 219-6003
- Výrobní číslo:
- IPN80R900P7ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 6A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 800V | |
| Typ balení | SOT-223 | |
| Řada | CoolMOS P7 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 900mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 15nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 7W | |
| Přímé napětí Vf | 0.9V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 1.8mm | |
| Délka | 6.7mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 6A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 800V | ||
Typ balení SOT-223 | ||
Řada CoolMOS P7 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 900mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 15nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 7W | ||
Přímé napětí Vf 0.9V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 1.8mm | ||
Délka 6.7mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Řada superjunction MOSFET Infineon 800V CoolMOS P7 je ideální pro aplikace SMPS s nízkým výkonem díky plnému řešení potřeb trhu v oblasti výkonu, snadného použití a poměru cena/výkon. Zaměřuje se především na aplikace flyback včetně adaptéru a nabíječky, LED ovladače, audio SMPS, AUX a průmyslové napájení. Tato nová produktová řada nabízí až 0.6% zvýšení účinnosti a o 2 °C až 8 °C nižší teplotu MOSFET ve srovnání s jeho předchůdcem a také konkurenční díly testované v typických aplikacích flyback. Umožňuje také vyšší hustotu výkonu díky nižším ztrátám při spínání a lepším produktům DPAK R DS(ON). Celkově pomáhá zákazníkům ušetřit náklady na kusovníky a snížit náročnost montáže.
Snadná jízda a design-in
Lepší produkční výnos díky snížení selhání souvisejících s elektrostatickými výboji
Méně problémů s výrobou a menší návratnost na poli
Snadné výběr správných dílů pro jemné ladění návrhů
Související odkazy
- řada: CoolMOS P7 MOSFET Typ N-kanálový 6 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET Typ N-kanálový 1.5 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET Typ N-kanálový 7 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET Typ N-kanálový 8 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET IPN80R600P7ATMA1 Typ N-kanálový 8 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET IPN80R750P7ATMA1 Typ N-kanálový 7 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: 800V CoolMOS P7 MOSFET Typ N-kanálový 4 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET IPN80R4K5P7ATMA1 Typ N-kanálový 1.5 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový