řada: CoolMOS P7 MOSFET IPN80R4K5P7ATMA1 N-kanálový 1.5 A 800 V Infineon, SOT-223, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 219-5997
- Výrobní číslo:
- IPN80R4K5P7ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 25 kusech)*
374,95 Kč
(bez DPH)
453,70 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 4 600 jednotka(y) budou odesílané od 05. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 14,998 Kč | 374,95 Kč |
| 125 - 225 | 14,247 Kč | 356,18 Kč |
| 250 - 600 | 13,644 Kč | 341,10 Kč |
| 625 - 1225 | 13,042 Kč | 326,05 Kč |
| 1250 + | 10,492 Kč | 262,30 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 219-5997
- Výrobní číslo:
- IPN80R4K5P7ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 1.5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 800V | |
| Typ balení | SOT-223 | |
| Řada | CoolMOS P7 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 450mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 4nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 6W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | 900mV | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 6.7mm | |
| Výška | 1.8mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 3.7mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 1.5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 800V | ||
Typ balení SOT-223 | ||
Řada CoolMOS P7 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 450mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 4nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 6W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf 900mV | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 6.7mm | ||
Výška 1.8mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 3.7mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET Infineon CoolMOS řady P7, maximální zdrojové napětí vypouštění 800 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 1,5 A – IPN80R4K5P7ATMA1
Tento MOSFET je vysokonapěťový spínací tranzistor navržený pro převod výkonu pro povrchovou montáž a řídicí úkoly. Pracuje spolehlivě v širokém rozsahu okolního prostředí a je určen pro použití tam, kde je vyžadováno robustní blokování napětí a střední schopnost stejnosměrného proudu.
Charakteristiky a výhody:
• Jmenovité napětí 800 V umožňuje vysokonapěťové aplikace
• RDS(on) 450 mΩ omezuje ztráty při vedení při spínání
• Typické náboje hradla 4 nC snižuje požadavky na energii pohonu
• nepřetržitý vypouštěcí proud 1.5 A podporuje stabilní zátěže
• Maximální ztrátový výkon 6 W zvládá tepelné namáhání během provozu
• Tolerance hradla ±20 V umožňuje standardní napětí hradla
• RDS(on) 450 mΩ omezuje ztráty při vedení při spínání
• Typické náboje hradla 4 nC snižuje požadavky na energii pohonu
• nepřetržitý vypouštěcí proud 1.5 A podporuje stabilní zátěže
• Maximální ztrátový výkon 6 W zvládá tepelné namáhání během provozu
• Tolerance hradla ±20 V umožňuje standardní napětí hradla
Aplikace
• Vhodné pro offline napájecí zdroje s vysokým napětím
• Ideální pro zvyšovací měniče v průmyslových systémech
• Používá se pro spínané výkonové stupně s mírnými proudy
• Lze použít pro testování polovodičových zařízení vyžadujících napětí 800 V
• Používá se se sestavami pro povrchovou montáž na kompaktních napájecích deskách
• Ideální pro zvyšovací měniče v průmyslových systémech
• Používá se pro spínané výkonové stupně s mírnými proudy
• Lze použít pro testování polovodičových zařízení vyžadujících napětí 800 V
• Používá se se sestavami pro povrchovou montáž na kompaktních napájecích deskách
V jakých okolních teplotách může fungovat?
Pracuje v širokém teplotním rozsahu od -55 °C do 150 °C, což zajišťuje vhodnost pro náročná tepelná prostředí.
Jak balení ovlivňuje tepelný výkon?
Pouzdro SOT‐223 pro povrchovou montáž nabízí malý půdorys a zároveň umožňuje rozptyl tepla kompatibilní s maximálním rozptylem výkonu 6 W při správné montáži.
Jaké jsou nutné úvahy ohledně ovladače hradla?
Zařízení přijímá až ±20 V mezi hradlem a zdrojem a obvykle vyžaduje pohonovou energii odpovídající celkovému náboji hradla 4 nC pro rychlé přepínání.
Která spínací topologie nejvíce využívá svých vlastností?
Díky vysokonapěťovému vylepšení N-kanálu je vhodný pro topologie, které vyžadují blokování 800 V s mírným nepřetržitým proudem.
Související odkazy
- řada: CoolMOS P7 MOSFET N-kanálový 1.5 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET N-kanálový 7 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET N-kanálový 6 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET N-kanálový 8 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET IPN80R600P7ATMA1 N-kanálový 8 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET IPN80R750P7ATMA1 N-kanálový 7 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET IPN80R900P7ATMA1 N-kanálový 6 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: 800V CoolMOS P7 MOSFET N-kanálový 4 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení