řada: 600V CoolMOS C7 MOSFET IPW60R017C7XKSA1 N-kanálový 109 A 600 V Infineon, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 218-3085
- Výrobní číslo:
- IPW60R017C7XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
474,73 Kč
(bez DPH)
574,42 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 5 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 1 | 474,73 Kč |
| 2 - 4 | 436,94 Kč |
| 5 - 9 | 408,04 Kč |
| 10 - 24 | 379,64 Kč |
| 25 + | 351,23 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 218-3085
- Výrobní číslo:
- IPW60R017C7XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 109A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Řada | 600V CoolMOS C7 | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 17mΩ | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 0.9V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 240nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 446W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 5.21mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 16.13mm | |
| Výška | 21.1mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 109A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Řada 600V CoolMOS C7 | ||
Typ balení TO-247 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 17mΩ | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 0.9V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 240nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 446W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 5.21mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 16.13mm | ||
Výška 21.1mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon 600V CoolMOS™ řada N-kanálový výkonový MOSFET. CoolMOS™ C7 je revoluční technologie pro výkonové tranzistory MOSFET s vysokým napětím, navržené podle principu superjunkce (SJ) a průkopníkem společnosti Infineon Technologies.
Vhodné pro tvrdé a měkké spínání (PFC a High Performance LLC)
Zvýšená odolnost MOSFET dv/dt na 120V/ns
Zvýšená frekvence spínání
Související odkazy
- řada: 600V CoolMOS C7 MOSFET Typ N-kanálový 109 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: CoolMOS C7 MOSFET Typ N-kanálový 75 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS C7 MOSFET Typ N-kanálový 46 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS C7 MOSFET Typ N-kanálový 50 A 600 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS C7 MOSFET Typ N-kanálový 37 A 600 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS C7 MOSFET Typ N-kanálový 40 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS C7 MOSFET Typ N-kanálový 18 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS C7 MOSFET Typ N-kanálový 13 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení