řada: CoolMOS C7 MOSFET Typ N-kanálový 13 A 600 V Infineon, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 214-9116
- Výrobní číslo:
- IPW60R180C7XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*
1 288,95 Kč
(bez DPH)
1 559,64 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Skladem
- 180 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 42,965 Kč | 1 288,95 Kč |
| 60 - 120 | 40,817 Kč | 1 224,51 Kč |
| 150 - 270 | 39,098 Kč | 1 172,94 Kč |
| 300 - 570 | 37,379 Kč | 1 121,37 Kč |
| 600 + | 34,804 Kč | 1 044,12 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 214-9116
- Výrobní číslo:
- IPW60R180C7XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 13A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Řada | CoolMOS C7 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 180mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 24nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20 V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 68W | |
| Přímé napětí Vf | 0.9V | |
| Šířka | 5.21 mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 21.1mm | |
| Délka | 16.13mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 13A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení TO-247 | ||
Řada CoolMOS C7 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 180mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 24nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20 V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 68W | ||
Přímé napětí Vf 0.9V | ||
Šířka 5.21 mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 21.1mm | ||
Délka 16.13mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon CoolMOS C7 je revoluční technologie pro výkonové tranzistory MOSFET s vysokým napětím, navržené podle principu superjunkce (SJ) a průkopníkem společnosti Infineon Technologies. Řada 600V CoolMOS C7 kombinuje zkušenosti předního dodavatele SJ MOSFET s vysoce kvalitními inovacemi. Jsou vhodné pro tvrdé a měkké spínací funkce. Vhodné pro aplikace jako server, telekomunikace a solární.
Vhodné pro tvrdé a měkké spínání
Vhodné pro průmyslové aplikace dle JEDEC
Související odkazy
- řada: CoolMOS C7 MOSFET IPW60R180C7XKSA1 Typ N-kanálový 13 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS C7 MOSFET Typ N-kanálový 13 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS C7 MOSFET IPW65R190C7XKSA1 Typ N-kanálový 13 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS C7 MOSFET Typ N-kanálový 46 A 700 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS C7 MOSFET Typ N-kanálový 46 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS C7 MOSFET Typ N-kanálový 18 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS C7 MOSFET Typ N-kanálový 50 A 600 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS C7 MOSFET Typ N-kanálový 75 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení