řada: CoolMOS C7 MOSFET Typ N-kanálový 50 A 600 V Infineon, TO-247, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*

4 064,88 Kč

(bez DPH)

4 918,50 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 150 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za tubu*
30 - 30135,496 Kč4 064,88 Kč
60 - 60132,03 Kč3 960,90 Kč
90 +128,728 Kč3 861,84 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
217-2590
Výrobní číslo:
IPZ60R040C7XKSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

50A

Maximální napětí na zdroji Vds

600V

Typ balení

TO-247

Řada

CoolMOS C7

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

4

Maximální odpor zdroje Rds

40mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

107nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

227W

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20 V

Přímé napětí Vf

0.9V

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

No

Výška

41.42mm

Šířka

5.21 mm

Délka

16.13mm

Automobilový standard

Ne

Superjunction (SJ) MOSFET řady Infineon 600V CoolMOS™ C7 nabízí ve srovnání s CoolMOS™ CP přibližně 50% snížení ztrát při vypínání (E OSS) a nabízí vynikající úroveň výkonu v PFC, TTF a dalších topologiích s tvrdým přepínáním. Model IPL60R185C7 je také ideální volbou pro vysoce výkonné nabíječky. Aplikace účinnosti a TCO (celkové náklady na vlastnictví), jako jsou hyperdatová centra a vysoce efektivní telekomunikační usměrňovače (>96 %), těží z vyšší efektivity, kterou nabízí CoolMOS™ C7. Možné je dosáhnout zisky 0,3 % až 0,7 % v topologiích PFC a 0,1 % v topologiích LLC. V případě 2.5kW serverového napájecího zdroje, například při použití 600V CoolMOS™ C7 SJ MOSFET v pouzdru SE 247 4vývody, může dojít ke snížení nákladů na energii o cca 10 % při ztrátě energie PSU.

Snížené parametry ztráty spínání, jako je Q G, C OSS, E OSS

Nejlepší parametry Q G*R DS(on) ve své třídě

Zvýšená frekvence spínání

Nejlepší hodnota R (on)*A na světě

Odolná dioda

Související odkazy