řada: HEXFET MOSFET IRL3803STRLPBF Typ N-kanálový 140 A 30 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 217-2638
- Výrobní číslo:
- IRL3803STRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
459,42 Kč
(bez DPH)
555,90 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 27. dubna 2028
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 45,942 Kč | 459,42 Kč |
| 50 - 90 | 43,62 Kč | 436,20 Kč |
| 100 - 240 | 41,817 Kč | 418,17 Kč |
| 250 - 490 | 39,989 Kč | 399,89 Kč |
| 500 + | 37,198 Kč | 371,98 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 217-2638
- Výrobní číslo:
- IRL3803STRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 140A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 9mΩ | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 140nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 200W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 10.67mm | |
| Výška | 15.88mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 140A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 9mΩ | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 140nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 200W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 10.67mm | ||
Výška 15.88mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Jednoduchý N-kanálový IR MOSFET Infineon 30V v balení D2-pak.
Rovinná buněčná struktura pro široký optimalizovaný pro nejširší dostupnost od distribuční partneři
Kvalifikace produktu podle normy JEDEC
Křemík optimalizovaný pro aplikace přepínání pod <100kHz
Standardní napájecí souprava pro povrchovou montáž
Balíček s vysokou kapacitou pro přenášení (až 195 A, závisí na velikosti matrice)
Možnost pájení vlnou
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 140 A 30 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 180 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 170 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 82 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 10 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 200 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 51 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 87 A 30 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový