řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 57 A 100 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 218-3095
- Výrobní číslo:
- IRF3710STRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 1600 kusů a ušetřete 548,80 Kč
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 naviják po 800 kusech)*
22 275,20 Kč
(bez DPH)
26 952,80 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 4 000 jednotka(y) budou odesílané od 10. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* | Úspora |
|---|---|---|---|
| 800 - 800 | 27,844 Kč | 22 275,20 Kč | - |
| 1600 + | 27,501 Kč | 22 000,80 Kč | 548,80 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 218-3095
- Výrobní číslo:
- IRF3710STRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 57A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 23mΩ | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 86.7nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 3.8W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Šířka | 9.65mm | |
| Normy/schválení | EIA 418 | |
| Délka | 10.67mm | |
| Výška | 4.83mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 57A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení TO-263 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 23mΩ | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 86.7nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 3.8W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Šířka 9.65mm | ||
Normy/schválení EIA 418 | ||
Délka 10.67mm | ||
Výška 4.83mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon HEXFET série N-kanálový výkonový MOSFET. Výkonové tranzistory MOSFET HEXFET od společnosti International Rectifier využívají techniky zpracování Advanced k dosažení extrémně nízké odolnosti vůči křemíku v každé oblasti. Je vhodný pro aplikace s vysokým proudem díky nízkému vnitřnímu připojovacímu odporu a může se rozptýlit až 2,0 W při typické povrchové montáži.
Obzvláště nízký zapínací odpor
Dynamické jmenovité hodnoty dv/dt
Pracovní teplota 175 °C
Rychlé spínání
Bez obsahu olova
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET IRF3710STRLPBF N-kanálový 57 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 128 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 260 A 75 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 295 A 40 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 45 A 250 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 43 A 150 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 170 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 89 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový