řada: HEXFET MOSFET IRFS4229TRLPBF Typ N-kanálový 45 A 250 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 217-2634
- Výrobní číslo:
- IRFS4229TRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
535,00 Kč
(bez DPH)
647,35 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 2 595 jednotka(y) budou odesílané od 03. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 107,00 Kč | 535,00 Kč |
| 25 - 45 | 94,206 Kč | 471,03 Kč |
| 50 - 120 | 88,822 Kč | 444,11 Kč |
| 125 - 245 | 82,35 Kč | 411,75 Kč |
| 250 + | 75,978 Kč | 379,89 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 217-2634
- Výrobní číslo:
- IRFS4229TRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 45A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 250V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 48mΩ | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 330W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 110nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 10.67mm | |
| Výška | 9.65mm | |
| Normy/schválení | EIA 418 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 45A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 250V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 48mΩ | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 330W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 110nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 10.67mm | ||
Výška 9.65mm | ||
Normy/schválení EIA 418 | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový MOSFET Infineon HEXFET® je speciálně navržen pro udržení ; Aplikace přepínače Energy Recovery & Pass v panelech plazmového displeje. Tento MOSFET využívá nejnovější techniky zpracování k dosažení nízkého odporu na křemíkové ploše a nízkého impulsu E.
Špičková technologie zpracování
Klíčové parametry optimalizované pro aplikace PDP Sustain, Energy Recovery a Pass Switch
Nízká hodnota EPELSE snižuje ztrátový výkon v aplikacích PDP Sustain, Energy Recovery a Pass Switch
Nízká QG pro rychlou odezvu
Vysoká opakovaná schopnost Peak proudu pro spolehlivý provoz
Krátké doby pádu a vzestupu pro rychlé spínání
Provozní teplota spoje 175 °C pro lepší odolnost
Opakované schopnosti Avalanche pro robustnost a spolehlivost
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 45 A 250 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 250 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFS7437TRLPBF Typ N-kanálový 250 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 180 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 170 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 82 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový