řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 250 A 40 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 165-5484
- Výrobní číslo:
- IRFS7437TRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 naviják po 800 kusech)*
14 008,80 Kč
(bez DPH)
16 950,40 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 1 600 jednotka(y) budou odesílané od 03. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | 17,511 Kč | 14 008,80 Kč |
| 1600 + | 17,073 Kč | 13 658,40 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 165-5484
- Výrobní číslo:
- IRFS7437TRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 250A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.8mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 150nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 230W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 10.67mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 4.83mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 250A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení TO-263 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.8mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 150nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 230W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 10.67mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 4.83mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Nelze použít
- Země původu (Country of Origin):
- MX
MOSFETy Infineon řady HEXFET, maximální trvalý proud 250 A, maximální ztrátový výkon 230 W - IRFS7437TRLPBF
Tento tranzistor MOSFET je určen pro vysoce výkonné aplikace, které vyžadují efektivní řízení spotřeby. Používá se v různých odvětvích a nabízí robustní vlastnosti vhodné pro náročná prostředí. Díky své schopnosti zvládat vysoké úrovně proudu a napětí je vhodný pro pokročilé technologické aplikace.
Vlastnosti a výhody
• Podporuje maximální trvalý odtokový proud 250 A pro vysoce výkonné aplikace
• Nabízí maximální napětí drain-source 40 V, což zajišťuje spolehlivost v různých nastaveních
• Vykazuje nízké Rds(on) 1,4 mΩ, což přispívá ke snížení ztrát výkonu
• Navrženo pro povrchovou montáž, což zjednodušuje instalaci
• Schopnost zpracovávat aplikace s rychlým přepínáním, což zvyšuje efektivitu
Aplikace
• Vhodné pro pohon kartáčovým motorem
• Ideální pro obvody napájené z baterií, které umožňují efektivní využití energie
• Použití v polomůstkových a celomůstkových topologiích pro přesné řízení
• Využívá se v synchronním usměrňovači zvýšit úspory energie
• Použitelné v rezonančních napájecích zdrojích pro stabilní výkon
Jak je řízen rozptyl energie během provozu?
Rozptyl energie je řízen maximální jmenovitou hodnotou 230 W, což zajišťuje tepelnou stabilitu při vysokém zatížení.
Jaký význam má nízká hodnota Rds(on)?
Nízká hodnota Rds(on) minimalizuje energetické ztráty během provozu a zvyšuje účinnost v aplikacích s vysokým proudem.
Lze jej použít v prostředí s vysokými teplotami?
Díky rozsahu provozních teplot od -55 °C do +175 °C je vhodný pro různé aplikace, včetně prostředí s vysokými teplotami.
Na co je třeba při instalaci dbát?
Zajistěte správné tepelné řízení podle specifikací, aby byla zachována provozní účinnost a spolehlivost při intenzivním používání.
Je kompatibilní s různými konstrukcemi napájecích zdrojů?
Ano, tranzistor MOSFET je univerzální a lze jej integrovat do mnoha napájecích zdrojů, což umožňuje přizpůsobení v různých projektech.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET IRFS7437TRLPBF Typ N-kanálový 250 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 14 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 400 A 40 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 293 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 190 A 100 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 128 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 18 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení