řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 250 A 40 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 165-5484
- Výrobní číslo:
- IRFS7437TRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 1600 kusů a ušetřete 700,80 Kč
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 naviják po 800 kusech)*
14 008,80 Kč
(bez DPH)
16 950,40 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 1 600 jednotka(y) budou odesílané od 10. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* | Úspora |
|---|---|---|---|
| 800 - 800 | 17,511 Kč | 14 008,80 Kč | - |
| 1600 + | 17,073 Kč | 13 658,40 Kč | 700,80 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 165-5484
- Výrobní číslo:
- IRFS7437TRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 250A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.8mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -20V, +20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 150nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 230W | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 4.83mm | |
| Délka | 10.67mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 9.65mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 250A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení TO-263 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.8mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 150nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 230W | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 4.83mm | ||
Délka 10.67mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 9.65mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Nelze použít
- Země původu (Country of Origin):
- MX
MOSFETy Infineon řady HEXFET, maximální trvalý proud 250 A, maximální ztrátový výkon 230 W - IRFS7437TRLPBF
Tento tranzistor MOSFET je určen pro vysoce výkonné aplikace, které vyžadují efektivní řízení spotřeby. Používá se v různých odvětvích a nabízí robustní vlastnosti vhodné pro náročná prostředí. Díky své schopnosti zvládat vysoké úrovně proudu a napětí je vhodný pro pokročilé technologické aplikace.
Vlastnosti a výhody
• Podporuje maximální trvalý odtokový proud 250 A pro vysoce výkonné aplikace
• Nabízí maximální napětí drain-source 40 V, což zajišťuje spolehlivost v různých nastaveních
• Vykazuje nízké Rds(on) 1,4 mΩ, což přispívá ke snížení ztrát výkonu
• Navrženo pro povrchovou montáž, což zjednodušuje instalaci
• Schopnost zpracovávat aplikace s rychlým přepínáním, což zvyšuje efektivitu
Aplikace
• Vhodné pro pohon kartáčovým motorem
• Ideální pro obvody napájené z baterií, které umožňují efektivní využití energie
• Použití v polomůstkových a celomůstkových topologiích pro přesné řízení
• Využívá se v synchronním usměrňovači zvýšit úspory energie
• Použitelné v rezonančních napájecích zdrojích pro stabilní výkon
Jak je řízen rozptyl energie během provozu?
Rozptyl energie je řízen maximální jmenovitou hodnotou 230 W, což zajišťuje tepelnou stabilitu při vysokém zatížení.
Jaký význam má nízká hodnota Rds(on)?
Nízká hodnota Rds(on) minimalizuje energetické ztráty během provozu a zvyšuje účinnost v aplikacích s vysokým proudem.
Lze jej použít v prostředí s vysokými teplotami?
Díky rozsahu provozních teplot od -55 °C do +175 °C je vhodný pro různé aplikace, včetně prostředí s vysokými teplotami.
Na co je třeba při instalaci dbát?
Zajistěte správné tepelné řízení podle specifikací, aby byla zachována provozní účinnost a spolehlivost při intenzivním používání.
Je kompatibilní s různými konstrukcemi napájecích zdrojů?
Ano, tranzistor MOSFET je univerzální a lze jej integrovat do mnoha napájecích zdrojů, což umožňuje přizpůsobení v různých projektech.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET IRFS7437TRLPBF N-kanálový 250 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 173 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 183 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 110 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 246 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 160 A 40 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 84 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 105 A 150 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení