řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 18 A 55 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový

Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
Skladové číslo RS:
217-2626
Výrobní číslo:
IRFR5505TRLPBF
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ P

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

18A

Maximální napětí na zdroji Vds

55V

Typ balení

TO-252

Řada

HEXFET

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

110mΩ

Typický náboj brány Qg @ Vgs

32nC

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

57W

Maximální provozní teplota

175°C

Šířka

2.39mm

Délka

6.73mm

Výška

6.22mm

Normy/schválení

Lead-Free

Automobilový standard

Ne

The Infineon -55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package.

RoHS Compliant

Low RDS(on)

Industry-leading quality

Dynamic dv/dt Rating

Fast Switching

Fully Avalanche Rated

175°C Operating Temperature

P-Channel MOSFET

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.