řada: HEXFET MOSFET IRLR9343TRPBF Typ P-kanálový 20 A 55 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 214-4474
- Výrobní číslo:
- IRLR9343TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 20 kusech)*
436,94 Kč
(bez DPH)
528,70 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 3 440 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 21,847 Kč | 436,94 Kč |
| 100 - 180 | 20,748 Kč | 414,96 Kč |
| 200 - 480 | 20,304 Kč | 406,08 Kč |
| 500 - 980 | 18,995 Kč | 379,90 Kč |
| 1000 + | 17,698 Kč | 353,96 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 214-4474
- Výrobní číslo:
- IRLR9343TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 20A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 55V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 170mΩ | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | -1.2V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 79W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 47nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 20A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 55V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 170mΩ | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf -1.2V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 79W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 47nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Tento digitální audio HEXFET od společnosti Infineon je speciálně navržen pro aplikace se zvukovým zesilovačem třídy D. Tento MOSFET využívá nejnovější techniky zpracování k dosažení nízkého odporu na křemíkové ploše.
Má opakující se schopnosti Avalanche pro robustnost a spolehlivost
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 20 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 18 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET IRFR5505TRLPBF Typ P-kanálový 18 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 11 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 31 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 18 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový -11 A -55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFR9024NTRPBF Typ P-kanálový 11 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení