řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 5 A 200 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 217-2616
- Výrobní číslo:
- IRFR220NTRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 6000 kusů a ušetřete 5%
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*
30 096,00 Kč
(bez DPH)
36 417,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 15 000 jednotka(y) budou odesílané od 05. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* | Úspora |
|---|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 10,032 Kč | 30 096,00 Kč | - |
| 6000 + | 9,53 Kč | 28 590,00 Kč | 5% |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 217-2616
- Výrobní číslo:
- IRFR220NTRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 200V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 600mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 43W | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 15nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 6.73mm | |
| Výška | 10.41mm | |
| Šířka | 2.39mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 200V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 600mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 43W | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 15nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 6.73mm | ||
Výška 10.41mm | ||
Šířka 2.39mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový MOSFET Infineon 200V Single N-Channel HEXFET v balení D-pak.
Rovinná buněčná struktura pro široký SOA
Optimalizováno pro nejširší dostupnost od distribučních partnerů
Kvalifikace produktu podle normy JEDEC
Křemík optimalizovaný pro aplikace přepínání pod <100kHz
Standardní napájecí souprava pro povrchovou montáž
Možnost pájení vlnou
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET IRFR220NTRLPBF N-kanálový 5 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 24 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFR4620TRLPBF N-kanálový 24 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 17 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 45 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 17 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 59 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 42 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení