řada: HEXFET MOSFET IRF7458TRPBF Typ N-kanálový 14 A 30 V Infineon, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 217-2605
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-39-416
- Výrobní číslo:
- IRF7458TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 20 kusech)*
663,94 Kč
(bez DPH)
803,36 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 25. února 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 33,197 Kč | 663,94 Kč |
| 100 - 180 | 31,542 Kč | 630,84 Kč |
| 200 - 480 | 30,233 Kč | 604,66 Kč |
| 500 - 980 | 28,875 Kč | 577,50 Kč |
| 1000 + | 26,886 Kč | 537,72 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 217-2605
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-39-416
- Výrobní číslo:
- IRF7458TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 14A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | SO-8 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 9mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2.5W | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 39nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 4.9mm | |
| Výška | 1.75mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 14A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení SO-8 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 9mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2.5W | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 39nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 4.9mm | ||
Výška 1.75mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Napájecí MOSFET Infineon 30V Single N-Channel HEXFET v BALENÍ SO-8.
Obzvláště nízká impedance řídicí elektrody
Velmi nízká RDS (zapnuto)
Plná charakteristika průrazného napětí a proudu
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 14 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 8 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRF7351TRPBF Typ N-kanálový 8 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 9 A 40 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 13 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 6.9 A 100 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 3.6 A 150 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 1.9 A 150 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení