řada: TSM025 MOSFET TSM036N03PQ56 N-kanálový 124 A 30 V Taiwan Semiconductor, PDFN56, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 216-9657
- Výrobní číslo:
- TSM036N03PQ56
- Výrobce:
- Taiwan Semiconductor
Mezisoučet (1 balení po 25 kusech)*
338,525 Kč
(bez DPH)
409,625 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Poslední zásoby RS
- Posledních 4 975 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 25 + | 13,541 Kč | 338,53 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 216-9657
- Výrobní číslo:
- TSM036N03PQ56
- Výrobce:
- Taiwan Semiconductor
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Taiwan Semiconductor | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 124A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | PDFN56 | |
| Řada | TSM025 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 3.6mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 50nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 83W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 1.05mm | |
| Normy/schválení | IEC 61249-2-21, WEEE 2002/96/EC, RoHS 2011/65/EU | |
| Šířka | 3.78mm | |
| Délka | 6mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Taiwan Semiconductor | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 124A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení PDFN56 | ||
Řada TSM025 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 3.6mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 50nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 83W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 1.05mm | ||
Normy/schválení IEC 61249-2-21, WEEE 2002/96/EC, RoHS 2011/65/EU | ||
Šířka 3.78mm | ||
Délka 6mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Tranzistory MOSFET s jednokanálovým napájením Taiwan Semiconductor, jsou zkratka pro ’tranzistory s polovodičovým polovodičovým efektem na bázi oxidu kovu’. MOSFETy jsou tranzistorová zařízení, která jsou řízena kondenzátorem. „Field-Effect“ znamená, že jsou řízeny napětím. Cílem MOSFET je řídit tok proudu procházejícího ze zdroje do svorek pro vypouštění.
Nízká RDS (ON) pro minimalizaci vodivých ztrát Nízké nabití hradla pro rychlé spínání napájení 100% UIS a RG testováno
Související odkazy
- řada: TSM025 MOSFET N-kanálový 124 A 30 V Taiwan Semiconductor počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TSM025 MOSFET N-kanálový 67 A 80 V Taiwan Semiconductor počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TSM025 MOSFET N-kanálový 55 A 30 V Taiwan Semiconductor počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TSM025 MOSFET N-kanálový 73 A 30 V Taiwan Semiconductor počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TSM025 MOSFET N-kanálový 121 A 40 V Taiwan Semiconductor počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TSM025 MOSFET N-kanálový 35 A 60 V Taiwan Semiconductor počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TSM025 MOSFET N-kanálový 30 A 60 V Taiwan Semiconductor počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TSM025 MOSFET N-kanálový 104 A 60 V Taiwan Semiconductor počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení