řada: TSM025 MOSFET N-kanálový 35 A 60 V Taiwan Semiconductor, PDFN56, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
Skladové číslo RS:
216-9701
Výrobní číslo:
TSM220NB06CR
Výrobce:
Taiwan Semiconductor
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Taiwan Semiconductor

Typ kanálu

N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

35A

Maximální napětí na zdroji Vds

60V

Typ balení

PDFN56

Řada

TSM025

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

22mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon Pd

68W

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

23nC

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20V

Přímé napětí Vf

1V

Maximální provozní teplota

175°C

Šířka

4.2mm

Délka

6.2mm

Normy/schválení

WEEE 2002/96/EC, RoHS 2011/65/EU, IEC 61249-2-21

Výška

1.1mm

Automobilový standard

Ne

Tranzistory MOSFET s jednokanálovým napájením Taiwan Semiconductor, jsou zkratka pro ’tranzistory s polovodičovým polovodičovým efektem na bázi oxidu kovu’. MOSFETy jsou tranzistorová zařízení, která jsou řízena kondenzátorem. „Field-Effect“ znamená, že jsou řízeny napětím. Cílem MOSFET je řídit tok proudu procházejícího ze zdroje do svorek pro vypouštění.

Nízká RDS (ON) pro minimalizaci vodivých ztrát Nízké nabití hradla pro rychlé spínání napájení 100% UIS a RG testováno

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.