řada: TSM025 MOSFET N-kanálový 51 A 60 V Taiwan Semiconductor, PDFN56, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 216-9686
- Výrobní číslo:
- TSM130NB06CR
- Výrobce:
- Taiwan Semiconductor
Mezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*
39 822,50 Kč
(bez DPH)
48 185,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Poslední zásoby RS
- Posledních 2 500 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 2500 + | 15,929 Kč | 39 822,50 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 216-9686
- Výrobní číslo:
- TSM130NB06CR
- Výrobce:
- Taiwan Semiconductor
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Taiwan Semiconductor | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 51A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Řada | TSM025 | |
| Typ balení | PDFN56 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 13mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 36nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 83W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 1.1mm | |
| Normy/schválení | IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC | |
| Délka | 6.2mm | |
| Šířka | 5.2mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Taiwan Semiconductor | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 51A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Řada TSM025 | ||
Typ balení PDFN56 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 13mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 36nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 83W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 1.1mm | ||
Normy/schválení IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC | ||
Délka 6.2mm | ||
Šířka 5.2mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Tranzistory MOSFET s jednokanálovým napájením Taiwan Semiconductor, jsou zkratka pro ’tranzistory s polovodičovým polovodičovým efektem na bázi oxidu kovu’. MOSFETy jsou tranzistorová zařízení, která jsou řízena kondenzátorem. „Field-Effect“ znamená, že jsou řízeny napětím. Cílem MOSFET je řídit tok proudu procházejícího ze zdroje do svorek pro vypouštění.
Nízká RDS (ON) pro minimalizaci vodivých ztrát Nízké nabití hradla pro rychlé spínání napájení 100% UIS a RG testováno
Související odkazy
- řada: TSM025 MOSFET TSM130NB06CR N-kanálový 51 A 60 V Taiwan Semiconductor počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TSM025 MOSFET N-kanálový 51 A 40 V Taiwan Semiconductor počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TSM025 MOSFET N-kanálový 51 A 60 V Taiwan Semiconductor počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TSM025 MOSFET TSM110NB04LCR N-kanálový 51 A 40 V Taiwan Semiconductor počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TSM025 MOSFET TSM130NB06LCR N-kanálový 51 A 60 V Taiwan Semiconductor počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TSM025 MOSFET N-kanálový 121 A 40 V Taiwan Semiconductor počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TSM025 MOSFET N-kanálový 161 A 40 V Taiwan Semiconductor počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TSM025 MOSFET N-kanálový 124 A 30 V Taiwan Semiconductor počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení