řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 42 A 100 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 215-2571
- Výrobní číslo:
- IRF1310NSTRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 naviják po 800 kusech)*
15 080,80 Kč
(bez DPH)
18 248,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 3 200 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | 18,851 Kč | 15 080,80 Kč |
| 1600 + | 17,908 Kč | 14 326,40 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 215-2571
- Výrobní číslo:
- IRF1310NSTRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 42A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 36mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 110nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 160W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Šířka | 1.079in | |
| Normy/schválení | EIA 418 | |
| Délka | 14.173in | |
| Výška | 1.197in | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 42A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení TO-263 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 36mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 110nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 160W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Šířka 1.079in | ||
Normy/schválení EIA 418 | ||
Délka 14.173in | ||
Výška 1.197in | ||
Automobilový standard Ne | ||
Pátá generace HEXFET řady Infineon od společnosti International Rectifier využívá techniky zpracování Advanced k dosažení extrémně nízké odolnosti vůči křemíkové oblasti. Tyto výhody v kombinaci s vysokou spínací rychlostí a robustní konstrukce zařízení, které HEXFET napájení MOSFET jsou dobře známé, poskytuje dostatečnou úroveň zařízení pro, poskytuje návrhář s extrémně efektivní a spolehlivé zařízení pro použití v široké škále aplikací. Sada D2Pack je napájecí souprava pro povrchovou montáž, která je schopna pojmout velikosti matrice až DO HEX-4. Poskytuje nejvyšší výkon a nejnižší možnou odolnost v jakémkoli stávajícím pouzdru pro povrchovou montáž. Sada D2Pack je vhodná pro aplikace s vysokým proudem díky nízkému vnitřnímu připojovacímu odporu a dokáže rozptýlit až 2.0 W při typické povrchové montáži.
Špičková technologie zpracování
Plně lavinové hodnocení
Rychlé spínání
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET IRF1310NSTRLPBF N-kanálový 42 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 160 A 40 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 105 A 150 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 33 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 400 A 40 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 30 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 43 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 293 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení