řada: 600V CoolMOS C7 MOSFET IPB60R180C7ATMA1 Typ N-kanálový 13 A 600 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový

Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

207,48 Kč

(bez DPH)

251,05 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 785 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
5 +41,496 Kč207,48 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
215-2498
Výrobní číslo:
IPB60R180C7ATMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

13A

Maximální napětí na zdroji Vds

600V

Řada

600V CoolMOS C7

Typ balení

TO-263

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

180mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

68W

Přímé napětí Vf

0.9V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

24nC

Maximální provozní teplota

150°C

Délka

10.31mm

Normy/schválení

No

Výška

15.88mm

Automobilový standard

Ne

Infineon 600V Cool MOS™ C7 super junction (SJ) MOSFET series nabízí ∼ 50% snížení ztrát při vypínání (E OSS ) ve srovnání s chladným MOS™ CP, které nabízejí vynikající úroveň výkonu v PFC, TTF a dalších těžko přepínacích topologiích. Model IPL60R185C7 je také ideální volbou pro vysoce výkonné nabíječky. Aplikace Efficiency and TCO (total cost of ownership), jako jsou Hyper datová centra a vysoce efektivní telekomunikační usměrňovače (>96 %), těží z vyšší efektivity nabízené společností Cool MOS™ C7. Možné je dosáhnout zisky 0,3 % až 0,7 % v topologiích PFC a 0,1 % v topologiích LLC. V případě serverového napájecího zdroje s výkonem 2,5 kW, například při použití tranzistorů MOSFET 600V Cool MOS™ C7 SJ v pouzdru se 4 247 vývody, MŮŽE dojít ke snížení nákladů na energii o cca 10 % při ztrátě energie napájecího zdroje.

Snížené parametry ztráty při spínání, např. Q G, C oss, E oss

Nejlepší parametry Q G*R DS(on) ve své třídě

Zvýšená frekvence spínání

Nejlepší hodnota R (on)*A na světě

Odolná dioda

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.