řada: HEXFET MOSFET AUIRF7648M2TR Typ N-kanálový 68 A 60 V Infineon, DirectFET, počet kolíků: 9 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 215-2450
- Výrobní číslo:
- AUIRF7648M2TR
- Výrobce:
- Infineon
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
451,83 Kč
(bez DPH)
546,715 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 15 jednotka(y) budou odesílané od 03. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 90,366 Kč | 451,83 Kč |
| 25 - 45 | 81,312 Kč | 406,56 Kč |
| 50 - 120 | 75,83 Kč | 379,15 Kč |
| 125 - 245 | 70,494 Kč | 352,47 Kč |
| 250 + | 65,95 Kč | 329,75 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 215-2450
- Výrobní číslo:
- AUIRF7648M2TR
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 68A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | DirectFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 9 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 7mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 63W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 35nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 68A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení DirectFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 9 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 7mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 63W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 35nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový MOSFET Infineon Automotive DirectFET® má 60V maximální napětí zdroje vypouštění s 68A maximální trvalý proud vypouštění v balení DirectFET M4. Model AUIRF7648M2 kombinuje nejnovější křemíkovou technologii MOSFET HEXFET® pro automobilový průmysl s balením Advanced DirectFET® pro dosažení nízkého nabití hradla a také nejnižšího odporu ve stavu v balení, které má půdorys PROFILU SO-8 a pouze 0.7 mm. Balíček DirectFET® je kompatibilní se stávajícími geometriemi rozložení používanými v aplikacích napájení, montážním zařízení PCB a fázemi par, infračerveným nebo konvekčním pájením, pokud je dodržena aplikační poznámka AN-1035 týkající se výrobních metod a procesů. Sada DirectFET® umožňuje oboustranné chlazení pro maximální přenos tepla v automobilových energetických systémech.
Špičková technologie zpracování
Optimalizováno pro automobilové motory, DC-DC a další aplikace pro silné zatížení
Nízká RDS (ON) pro vyšší efektivitu
Opakované schopnosti Avalanche pro robustnost a spolehlivost
Neobsahuje olovo, RoHS a halogeny
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 68 A 60 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový Vylepšení
- řada: DirectFET DirectFET, počet kolíků: 15 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 21 A 60 V Infineon počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 55 A 80 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 19 A 200 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 150 A 20 V Infineon počet kolíků: 2 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 81 A 20 V Infineon počet kolíků: 2 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 DirectFET, počet kolíků: 9 kolíkový Vylepšení