řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 124 A 100 V Infineon, DirectFET Vylepšení

Skladové číslo RS:: 257-9317
Výrobní číslo:: IRF7769L1TRPBF
Výrobce:: Infineon

řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 124 A 100 V Infineon, DirectFET Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 4000 kusech)*

241 944,00 Kč

(bez DPH)

292 752,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 16. března 2027

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
4000 +	60,486 Kč	241 944,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 257-9317
Výrobní číslo:: IRF7769L1TRPBF
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	124A
	Maximální napětí na zdroji Vds	100V
	Typ balení	DirectFET
	Řada	HEXFET
	Typ montáže	Průchozí otvor
	Maximální odpor zdroje Rds	3.50mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Přímé napětí Vf	1.3V
	Maximální provozní teplota	+175°C
	Normy/schválení	RoHS
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 124A
	Maximální napětí na zdroji Vds 100V
	Typ balení DirectFET
	Řada HEXFET
	Typ montáže Průchozí otvor
	Maximální odpor zdroje Rds 3.50mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Minimální provozní teplota -55°C
	Přímé napětí Vf 1.3V
	Maximální provozní teplota +175°C
	Normy/schválení RoHS
	Automobilový standard Ne

Datasheet - IRF7769L1TRPBF

Tranzistor MOSFET Infineon řady HEXFET, maximální napětí drain-zdroj 100 V, maximální nepřetržitý drain 124 A – IRF7769L1TRPBF

Tento MOSFET je vylepšovací zařízení N-kanálu s průchozím otvorem určené pro vysokoproudé spínání v náročných elektrických systémech. Pracuje v širokém rozsahu teplot vhodných pro průmyslové podmínky a splňuje environmentální omezení RoHS. Součást je dodávána v pouzdru DirectFET určeném pro aplikace vyžadující efektivní řízení tepla a integraci kompaktní desky.

Charakteristiky a výhody:

• RDS(on) 3,50 mΩ snižuje ztráty při vedení pro vyšší účinnost
• 100V VDS umožňuje provoz ve středně napěťových topologiích
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 124 A podporuje dodávku vysokého výkonu
• Proudové napětí VF 1.3 V zajišťuje přesné ovládání mezi bránou a zdrojem
• Rozsah teplot -55 °C až +175 °C zajišťuje delší tepelnou toleranci

Aplikace

• Vhodné pro napájecí zdroje a systémy řízení motoru
• Používá se s vysokoproudými stojany pro rozvod stejnosměrného proudu
• Ideální pro průmyslové měniče a invertory
• Lze použít pro správu akumulátoru a regulaci nabíjení

Jaký typ pouzdra se používá pro tepelnou manipulaci?

Používá pouzdro DirectFET pro nízký tepelný odpor a efektivní přenos tepla.

Jaký způsob montáže vyžaduje?

Zařízení je navrženo pro montáž do průchozího otvoru pro zajištění robustního mechanického a tepelného spojení.

Je zařízení vhodné pro kvalifikaci v automobilovém průmyslu?

Není specifikován jako automobilový standardní díl, a proto by měl být hodnocen podle specifických požadavků na vozidla.

Jaká polarita a režim kanálu jsou implementovány?

Díl je zařízení s N-kanálem pracující v režimu zesílení, které je vhodné pro běžné spínače s vysokou nebo nízkou stranou.

Je součást v souladu s environmentálními směrnicemi?

Je v souladu s RoHS, což znamená omezení některých nebezpečných látek.