řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 124 A 100 V Infineon, DirectFET Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 4000 kusech)*

241 944,00 Kč

(bez DPH)

292 752,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 05. ledna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za cívku*
4000 +60,486 Kč241 944,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
257-9317
Výrobní číslo:
IRF7769L1TRPBF
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

124A

Maximální napětí na zdroji Vds

100V

Typ balení

DirectFET

Řada

HEXFET

Typ montáže

Průchozí otvor

Maximální odpor zdroje Rds

3.50mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Přímé napětí Vf

1.3V

Maximální provozní teplota

+175°C

Normy/schválení

RoHS

Automobilový standard

Ne

Řada Infineon IRF je 100V jednoduchý nkanálový výkonný IRFET mosfet v přímém pouzdru FET L8. Výkonná řada IRFET Power Mosfet je optimalizována pro nízký RDS (zapnutí) a vysoký proud. Zařízení jsou ideální pro aplikace s nízkou frekvencí vyžadující výkon a odolnost. Rozsáhlé portfolio se zaměřuje na širokou škálu aplikací včetně stejnosměrných motorů, systémů řízení baterií, měničů a měničů DC/DC.

Optimalizováno pro nejširší dostupnost od distribučních partnerů

Kvalifikace produktu podle normy JEDEC

Vysoký jmenovitý proud

Možnost chlazení na dvou stranách

Nízká výška pouzdra 0,7 mm

Pouzdro s nízkou parazitní indukcí (1 až 2 nH)

100% bezolovnatý (bez výjimky RoHS)

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.