řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 124 A 100 V Infineon, DirectFET
- Skladové číslo RS:
- 257-9317
- Výrobní číslo:
- IRF7769L1TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Mezisoučet (1 naviják po 4000 kusech)*
183 728,00 Kč
(bez DPH)
222 312,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 03. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 4000 + | 45,932 Kč | 183 728,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 257-9317
- Výrobní číslo:
- IRF7769L1TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 124A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | DirectFET | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.7mΩ | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 124A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení DirectFET | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.7mΩ | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Řada Infineon IRF je 100V jednoduchý nkanálový výkonný IRFET mosfet v přímém pouzdru FET L8. Výkonná řada IRFET Power Mosfet je optimalizována pro nízký RDS (zapnutí) a vysoký proud. Zařízení jsou ideální pro aplikace s nízkou frekvencí vyžadující výkon a odolnost. Rozsáhlé portfolio se zaměřuje na širokou škálu aplikací včetně stejnosměrných motorů, systémů řízení baterií, měničů a měničů DC/DC.
Optimalizováno pro nejširší dostupnost od distribučních partnerů
Kvalifikace produktu podle normy JEDEC
Vysoký jmenovitý proud
Možnost chlazení na dvou stranách
Nízká výška pouzdra 0,7 mm
Pouzdro s nízkou parazitní indukcí (1 až 2 nH)
100% bezolovnatý (bez výjimky RoHS)
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET IRF7769L1TRPBF Typ N-kanálový 124 A 100 V Infineon, DirectFET
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 375 A 40 V Infineon, DirectFET
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový -160 A -30 V Infineon, DirectFET
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 217 A 40 V Infineon, DirectFET
- řada: HEXFET MOSFET IRL7472L1TRPBF Typ N-kanálový 375 A 40 V Infineon, DirectFET
- řada: HEXFET MOSFET IRF7480MTRPBF Typ N-kanálový 217 A 40 V Infineon, DirectFET
- řada: HEXFET MOSFET IRF9383MTRPBF Typ N-kanálový -160 A -30 V Infineon, DirectFET
- řada: DirectFET DirectFET, počet kolíků: 15 kolíkový