řada: DirectFET, HEXFET MOSFET N-kanálový 375 A 60 V Infineon, DirectFET, počet kolíků: 15 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 165-8086
- Výrobní číslo:
- IRF7749L1TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Mezisoučet (4000 jednotky/-ek, v kotouči po 4000 ks)*
250 420,00 Kč
(bez DPH)
303 008,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 08. prosince 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 4000 + | 62,605 Kč | 250 420,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 165-8086
- Výrobní číslo:
- IRF7749L1TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 375A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | DirectFET | |
| Řada | DirectFET, HEXFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 15 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.5mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 200nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 125W | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -20V, +20V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Šířka | 7.1mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 9.15mm | |
| Výška | 0.49mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 375A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení DirectFET | ||
Řada DirectFET, HEXFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 15 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.5mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 200nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 125W | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Šířka 7.1mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 9.15mm | ||
Výška 0.49mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MX
DirectFET® Power MOSFET, Infineon
Napájecí sada DirectFET® je technologie balení MOSFET s povrchovou montáží. Technologie DirectFET® MOSFET je řešením, které snižuje ztráty energie a zároveň snižuje nároky na design v Advanced switching aplikacích.
Nejnižší odolnost v průmyslu v příslušných rozměrech
Extrémně nízká odolnost balíku, aby se minimalizovaly ztráty vedení
Vysoce účinné oboustranné chlazení výrazně zvyšuje hustotu, náklady a spolehlivost
Nízký profil pouze 0,7mm
Tranzistory MOSFET, Infineon
Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.
Související odkazy
- řada: DirectFET DirectFET, počet kolíků: 15 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 375 A 40 V Infineon, DirectFET
- řada: HEXFET MOSFET IRL7472L1TRPBF N-kanálový 375 A 40 V Infineon, DirectFET
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 68 A 60 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 21 A 60 V Infineon počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 19 A 200 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 55 A 80 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 81 A 20 V Infineon počet kolíků: 2 kolíkový Vylepšení