řada: OptiMOS MOSFET BSC015NE2LS5IATMA1 N-kanálový 147 A 25 V Infineon, TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 214-8972
- Výrobní číslo:
- BSC015NE2LS5IATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 15 kusech)*
493,00 Kč
(bez DPH)
596,54 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 4 995 jednotka(y) budou odesílané od 16. září 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 32,867 Kč | 493,01 Kč |
| 75 - 135 | 31,205 Kč | 468,08 Kč |
| 150 - 360 | 29,903 Kč | 448,55 Kč |
| 375 - 735 | 28,57 Kč | 428,55 Kč |
| 750 + | 26,594 Kč | 398,91 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 214-8972
- Výrobní číslo:
- BSC015NE2LS5IATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 147A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 25V | |
| Řada | OptiMOS | |
| Typ balení | TDSON | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.5mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 0.65V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 16V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 22nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 50W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 6.35mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 1.1mm | |
| Délka | 5.49mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 147A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 25V | ||
Řada OptiMOS | ||
Typ balení TDSON | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.5mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 0.65V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 16V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 22nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 50W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 6.35mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 1.1mm | ||
Délka 5.49mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET Infineon řady OptiMOS, maximální ztrátový výkon 50 W, maximální zdrojové napětí 25 V – BSC015NE2LS5IATMA1
Tento MOSFET je vysokoproudové vylepšovací zařízení N-kanálu navržené pro spínání výkonu a řízení zátěže pro povrchovou montáž v náročných tepelných prostředích. Pracuje v širokém teplotním rozsahu a je specifikován pro významný nepřetržitý vypouštěcí proud a manipulaci s výkonem, díky čemuž je vhodný pro aplikace, které vyžadují nízké vodivé ztráty a rychlé spínání řízené hradlem.
Charakteristiky a výhody:
• Rds(on) 1.5 mΩ snižuje ztráty při vedení při vysokých proudech
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 147 A podporuje vysoké zatížení
• Rozptýlení výkonu 50 W umožňuje udržitelnou manipulaci s výkonem
• Typický náboj hradla 22 nC umožňuje efektivní ovládání spínání
• Posuvné napětí 0.65 V minimalizuje pokles napětí při zátěži
• Jmenovité napětí 25 V pro nízkonapěťové napájecí kolejnice
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 147 A podporuje vysoké zatížení
• Rozptýlení výkonu 50 W umožňuje udržitelnou manipulaci s výkonem
• Typický náboj hradla 22 nC umožňuje efektivní ovládání spínání
• Posuvné napětí 0.65 V minimalizuje pokles napětí při zátěži
• Jmenovité napětí 25 V pro nízkonapěťové napájecí kolejnice
Aplikace
• Vhodné pro vysokoproudé měniče DC/DC
• Ideální pro synchronní usměrnění v napájecích zdrojích
• Používá se pro stupně pohonu motoru v výkonové elektronice
• Lze použít pro ochranu a distribuci baterií
• Vhodné pro spínání napájení v kompaktních sestavách SMD
• Ideální pro synchronní usměrnění v napájecích zdrojích
• Používá se pro stupně pohonu motoru v výkonové elektronice
• Lze použít pro ochranu a distribuci baterií
• Vhodné pro spínání napájení v kompaktních sestavách SMD
Jaké pouzdro a typ montáže používá?
Dodává se v 8kolíkovém pouzdru TDSON určeném pro montáž na povrch.
Jaké napěťové limity je třeba při návrhu obvodu dodržovat?
Maximální napětí drain‐source je 25 V a maximální napětí gate‐source je 16 V.
Jak se chová při extrémních teplotách?
Je specifikován pro provoz v rozsahu -55 °C až 150 °C pro rozšířený tepelný rozsah.
Jaký typ a režim kanálu je implementován?
Zařízení je MOSFET s N-kanálovým režimem zesílení.
Jaká omezení fyzického půdorysu jsou relevantní pro uspořádání desek plošných spojů?
Pouzdro měří přibližně 5,49 mm x 6,35 mm s výškou 1,1 mm.
Související odkazy
- řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 147 A 25 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 100 A 40 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 100 A 25 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 100 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 40 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 13 A 34 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 275 A 40 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 57 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení