řada: HEXFET MOSFET IRF3709ZSTRRPBF Typ N-kanálový 87 A 30 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 214-4451
- Výrobní číslo:
- IRF3709ZSTRRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
337,90 Kč
(bez DPH)
408,90 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Poslední zásoby RS
- Posledních 290 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 33,79 Kč | 337,90 Kč |
| 50 - 90 | 32,11 Kč | 321,10 Kč |
| 100 - 240 | 30,727 Kč | 307,27 Kč |
| 250 - 490 | 29,393 Kč | 293,93 Kč |
| 500 + | 27,368 Kč | 273,68 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 214-4451
- Výrobní číslo:
- IRF3709ZSTRRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 87A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 7.8mΩ | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 79W | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 26nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 87A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení TO-263 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 7.8mΩ | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 79W | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 26nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Tento Infineon HEXFET MOSFET je optimalizován pro nízkou RDS (ON) a vysokou proudovostí. Je ideální pro nízkofrekvenční aplikace vyžadující výkon a. odolnost
Má produktovou kvalifikaci dle normy JEDEC
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 87 A 30 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 87 A 75 V Infineon, TO-220
- řada: HEXFET MOSFET IRFB7740PBF Typ N-kanálový 87 A 75 V Infineon, TO-220
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 180 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 170 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 82 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 10 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 200 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový