řada: 600V CoolMOS P7 MOSFET N-kanálový 12 A 600 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 214-4369
- Výrobní číslo:
- IPB60R280P7ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Mezisoučet (1 naviják po 1000 kusech)*
19 519,00 Kč
(bez DPH)
23 618,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 29. prosince 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 1000 + | 19,519 Kč | 19 519,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 214-4369
- Výrobní číslo:
- IPB60R280P7ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 12A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | 600V CoolMOS P7 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 280mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 18nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 53W | |
| Přímé napětí Vf | 900mV | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 9.27mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 4.5mm | |
| Délka | 10.02mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 12A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada 600V CoolMOS P7 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 280mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 18nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 53W | ||
Přímé napětí Vf 900mV | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 9.27mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 4.5mm | ||
Délka 10.02mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET Infineon 600 V CoolMOS řady P7, napětí zdroje vypouštění 600 V, nepřetržitý vypouštěcí proud 12 A – IPB60R280P7ATMA1
Tento MOSFET je vysokonapěťové vylepšovací zařízení s N-kanálem navržené pro napájecí spínání v náročných elektronických systémech. Pracuje v širokém rozsahu teplot a je určen pro aplikace pro povrchovou montáž, kde je vyžadována robustní manipulace s napětím a řízený pohon hradla. Součást je vhodná pro konstrukce, které vyžadují vysokonapěťové blokování, mírný vodivý proud a kompaktní montáž.
Charakteristiky a výhody:
• Jmenovitá hodnota drain-zdroj 600 V pro vysokonapěťovou spínací schopnost
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 12 A pro udržitelnou manipulaci se zátěží
• Rds(on) 280 mΩ pro efektivní vedení za normálních provozních podmínek
• typický náboj hradla 18 nC pro předvídatelnou spínací energii
• Maximální ztrátový výkon 53 W pro tepelné rozpětí ve stupních výkonu
• Tolerance hradla 20 V pro kompatibilitu s běžnými ovladači hradla
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 12 A pro udržitelnou manipulaci se zátěží
• Rds(on) 280 mΩ pro efektivní vedení za normálních provozních podmínek
• typický náboj hradla 18 nC pro předvídatelnou spínací energii
• Maximální ztrátový výkon 53 W pro tepelné rozpětí ve stupních výkonu
• Tolerance hradla 20 V pro kompatibilitu s běžnými ovladači hradla
Aplikace
• Vhodné pro offline napájecí zdroje a primární spínače SMPS
• Ideální pro vysokonapěťové měniče DC/DC a napájecí moduly
• Používá se s usměrňovacími a snubrovacími sítěmi při úpravě napájení
• Lze použít pro přední konce průmyslových motorových pohonů
• Používá se pro telekomunikační napájecí systémy vyžadující prostorově úspornou montáž
• Ideální pro vysokonapěťové měniče DC/DC a napájecí moduly
• Používá se s usměrňovacími a snubrovacími sítěmi při úpravě napájení
• Lze použít pro přední konce průmyslových motorových pohonů
• Používá se pro telekomunikační napájecí systémy vyžadující prostorově úspornou montáž
Jaké pouzdro a montážní přístup vyžaduje?
Dodává se v pouzdru TO-263 navrženém pro montáž na povrch, který zajišťuje nízkoprofilovou integraci desky a efektivní tepelnou vodivost na úrovni desky.
Jaké tepelné limity upravují jeho použití v prostředí s vysokými teplotami?
Zařízení je určeno pro provoz v rozsahu -55 °C až 150 °C, což definuje přípustné okolní a spojovací podmínky pro spolehlivý provoz v tomto rozsahu.
Jak ovlivňuje specifikace hradla výběr externího ovladače?
S maximálním napětím hradla-zdroje 20 V by měli ovladače udržovat špičkové Vgs v této mezě a brát v úvahu typický náboj hradla 18 nC při velikosti proudu pohonu pro požadovanou spínací rychlost.
Jaké chování při vedení by měli konstruktéři očekávat při nepřetržité zátěži?
Očekávají nepřetržité vypouštěcí proudy až 12 A, přičemž ztráty při vedení jsou ovlivněny specifikovaným odporem při zapnutí 280 mΩ a celkovou tepelnou konstrukcí desky.
Související odkazy
- řada: 600V CoolMOS P7 MOSFET IPB60R280P7ATMA1 N-kanálový 12 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: 600V CoolMOS P7 MOSFET N-kanálový 9 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: 600V CoolMOS P7 MOSFET N-kanálový 26 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: 600V CoolMOS P7 MOSFET IPB60R360P7ATMA1 N-kanálový 9 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: 600V CoolMOS P7 MOSFET IPB60R120P7ATMA1 N-kanálový 26 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: 600V CoolMOS P7 MOSFET N-kanálový 18 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: 600V CoolMOS P7 MOSFET N-kanálový 10 A 600 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: 600V CoolMOS P7 MOSFET N-kanálový 12 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení