řada: 600V CoolMOS P7 MOSFET IPB60R120P7ATMA1 Typ N-kanálový 26 A 600 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 214-4368
- Výrobní číslo:
- IPB60R120P7ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
481,40 Kč
(bez DPH)
582,50 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 880 jednotka(y) budou odesílané od 31. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 96,28 Kč | 481,40 Kč |
| 25 - 45 | 86,648 Kč | 433,24 Kč |
| 50 - 120 | 80,918 Kč | 404,59 Kč |
| 125 - 245 | 75,088 Kč | 375,44 Kč |
| 250 + | 70,246 Kč | 351,23 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 214-4368
- Výrobní číslo:
- IPB60R120P7ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 26A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Řada | 600V CoolMOS P7 | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 120mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 0.9V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 36nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 95W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 10.02mm | |
| Šířka | 9.27mm | |
| Výška | 4.5mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 26A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Řada 600V CoolMOS P7 | ||
Typ balení TO-263 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 120mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 0.9V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 36nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 95W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 10.02mm | ||
Šířka 9.27mm | ||
Výška 4.5mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Tento Infineon 600V Cool MOS P7 super junkový MOSFET pokračuje v rovnováze potřebu vysoké účinnosti proti snadnému použití v procesu návrhu. Nejlepší RonxA ve své třídě a přirozeně nízké nabití hradla (QG) platformy Cool MOS™ 7. Generace zajišťují vysokou účinnost.
Je vybaven odolnou diodou
Integrovaný obvod RG snižuje citlivost oscilace MOSFET
Související odkazy
- řada: 600V CoolMOS P7 MOSFET Typ N-kanálový 26 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: 600V CoolMOS P7 MOSFET IPB60R280P7ATMA1 Typ N-kanálový 12 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: 600V CoolMOS P7 MOSFET IPB60R360P7ATMA1 Typ N-kanálový 9 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: 600V CoolMOS P7 MOSFET Typ N-kanálový 12 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: 600V CoolMOS P7 MOSFET Typ N-kanálový 9 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET + Dioda IPB60R060P7ATMA1 Typ N-kanálový 151 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: CoolMOS P7 MOSFET + Dioda IPB65R190CFDAATMA1 Typ N-kanálový 57.2 A 650 V Infineon počet kolíků: 3
- řada: CoolMOS P7 MOSFET + Dioda Typ N-kanálový 151 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení