řada: 600V CoolMOS P7 MOSFET N-kanálový 26 A 600 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 214-4367
Výrobní číslo:: IPB60R120P7ATMA1
Výrobce:: Infineon

řada: 600V CoolMOS P7 MOSFET N-kanálový 26 A 600 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 1000 kusech)*

36 807,00 Kč

(bez DPH)

44 536,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 23. března 2027

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
1000 +	36,807 Kč	36 807,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 214-4367
Výrobní číslo:: IPB60R120P7ATMA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	N
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	26A
	Maximální napětí na zdroji Vds	600V
	Typ balení	TO-263
	Řada	600V CoolMOS P7
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	120mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Maximální ztrátový výkon Pd	95W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	36nC
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Přímé napětí Vf	900mV
	Maximální provozní teplota	150°C
	Normy/schválení	No
	Výška	4.5mm
	Délka	10.02mm
	Šířka	9.27mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu N
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 26A
	Maximální napětí na zdroji Vds 600V
	Typ balení TO-263
	Řada 600V CoolMOS P7
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 120mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Maximální ztrátový výkon Pd 95W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 36nC
	Minimální provozní teplota -55°C
	Přímé napětí Vf 900mV
	Maximální provozní teplota 150°C
	Normy/schválení No
	Výška 4.5mm
	Délka 10.02mm
	Šířka 9.27mm
	Automobilový standard Ne

Datasheet - IPB60R120P7ATMA1

MOSFET Infineon 600 V CoolMOS řady P7, napětí zdroje vypouštění 600 V, nepřetržitý vypouštěcí proud 26 A – IPB60R120P7ATMA1

Tento MOSFET je vysokonapěťové vylepšovací zařízení s N-kanálem určené pro spínání a převod výkonu v náročných tepelných prostředích. Pracuje v rozšířeném teplotním rozsahu a je určen pro montáž na povrch v napájecích elektronických obvodech, kde je vyžadováno vysokonapěťové blokování a významná schopnost nepřetržitého proudu.

Charakteristiky a výhody:

• Odtokové napětí 600 V umožňuje konstrukci vysokonapěťových systémů
• Stálý proud 26 A podporuje robustní manipulaci se zátěží
• Rds(on) 120 mΩ snižuje ztráty při vedení během provozu
• Typický náboj hradla 36 nC umožňuje předvídat velikost jednotky
• Maximální ztrátový výkon 95 W umožňuje vyšší výkonový průchod
• omezení poklesu propustného napětí diody 0.9 V v synchronních obvodech

Aplikace

• Vhodné pro offline spínané napájecí zdroje
• Ideální pro rezonanční a spínací měniče
• Používá se s předními konci vysokonapěťových motorových pohonů
• Lze použít pro pomocné napájecí kolejnice v průmyslových zařízeních
• Vhodné pro vysokoteplotní elektronické skříně

Jaký typ pouzdra používá pro montáž na desku?

Dodává se v pouzdru TO-263 konfigurovaném pro povrchovou montáž, což usnadňuje tepelnou vodivost k zemnímu vzoru PCB.

Jak zařízení toleruje extrémní teploty při provozu?

Je specifikován pro provoz v rozsahu -55 °C až 150 °C, což umožňuje použití v prostředích s širokými tepelnými výkyvy.

Jaká omezení pohonu hradla je třeba dodržovat?

Maximální jmenovité napětí mezi bránou a zdrojem je 20 V, takže obvody pohonu musí zůstat v rámci této prahové hodnoty, aby se zabránilo poškození brány.

Jaké spínací chování ovlivňuje rozhodnutí o uspořádání?

Typický náboj hradla 36 nC zařízení a jeho hodnota Rds(on) ovlivňují potřeby proudů hradlového budiče a šířku mědi pro minimalizaci ztrát I2R.