řada: OptiMOS MOSFET IPB017N10N5LFATMA1 Typ N-kanálový 180 A 100 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 7 kolíkový N

Skladové číslo RS:: 214-4364
Výrobní číslo:: IPB017N10N5LFATMA1
Výrobce:: Infineon

řada: OptiMOS MOSFET IPB017N10N5LFATMA1 Typ N-kanálový 180 A 100 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 7 kolíkový N

Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů

Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*

280,98 Kč

(bez DPH)

339,98 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

1 662 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za balení*
2 +	140,49 Kč	280,98 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 214-4364
Výrobní číslo:: IPB017N10N5LFATMA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	180A
	Maximální napětí na zdroji Vds	100V
	Řada	OptiMOS
	Typ balení	TO-263
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	7
	Maximální odpor zdroje Rds	1.7mΩ
	Režim kanálu	N
	Přímé napětí Vf	1.2V
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd	313W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	195nC
	Maximální provozní teplota	150°C
	Výška	4.57mm
	Délka	10.31mm
	Normy/schválení	No
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 180A
	Maximální napětí na zdroji Vds 100V
	Řada OptiMOS
	Typ balení TO-263
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 7
	Maximální odpor zdroje Rds 1.7mΩ
	Režim kanálu N
	Přímé napětí Vf 1.2V
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd 313W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 195nC
	Maximální provozní teplota 150°C
	Výška 4.57mm
	Délka 10.31mm
	Normy/schválení No
	Automobilový standard Ne

IPB017N10N5LFATMA1 Datasheet

Kombinuje nízký RDS(on) se širokou bezpečnou provozní oblastí (SOA)

Lineární FET OptiMOSTM je revoluční přístup, který se vyhýbá kompromisu mezi odporem v zapnutém stavu (R DS(on)) a schopností lineárního režimu – provoz v oblasti nasycení MOSFET s rozšířeným režimem. Nabízí nejmodernější R DS(on) tranzistoru MOSFET s drážkou spolu se širokou bezpečnou provozní oblastí klasického planárního tranzistoru MOSFET.

Shrnutí funkcí

•Kombinace nízké R DS(on) a široké bezpečné provozní oblasti (SOA)

•Vysoký maximální impulzní proud

•Vysoký nepřetržitý impulzní proud

Výhody

•Robustní provoz v lineárním režimu

•Nízké ztráty vodivosti

•Vyšší spouštěcí proud umožňuje rychlejší spouštění a kratší dobu vypnutí

Potenciální aplikace

•Telekomunikace

•Správa baterií