řada: E Výkonový MOSFET SIHG15N80AE-GE3 N-kanálový 13 A 800 V Vishay, TO-247AC, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 210-4983
- Výrobní číslo:
- SIHG15N80AE-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 25 kusech)*
1 244,88 Kč
(bez DPH)
1 506,30 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Poslední zásoby RS
- Posledních 175 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 49,795 Kč | 1 244,88 Kč |
| 50 - 100 | 46,812 Kč | 1 170,30 Kč |
| 125 + | 42,326 Kč | 1 058,15 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 210-4983
- Výrobní číslo:
- SIHG15N80AE-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 13A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 800V | |
| Řada | E | |
| Typ balení | TO-247AC | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 304mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 35nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 156W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Délka | 28.6mm | |
| Šířka | 15.5mm | |
| Výška | 4.6mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 13A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 800V | ||
Řada E | ||
Typ balení TO-247AC | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 304mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 35nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 156W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Délka 28.6mm | ||
Šířka 15.5mm | ||
Výška 4.6mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový tranzistor MOSFET Vishay řady E, napětí drain source 800 V, maximální ztrátový výkon 156 W – SIHG15N80AE-GE3
Tento výkonový MOSFET je vysokonapěťové spínací zařízení navržené pro montáž do průchozího otvoru v prostředí pro převod výkonu a průmyslové řízení. Jedná se o vylepšovací typ N-kanálu vyrobený pro zvládnutí zvýšených potenciálů drain-zdroj při provozu v širokém teplotním rozsahu, díky čemuž je vhodný pro náročné tepelné a elektrické podmínky, kde je vyžadováno robustní vysokonapěťové spínání.
Charakteristiky a výhody:
• Odolnost proti vypouštění zdroje 800 V pro vysokonapěťové spínání
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 13 A pro udržitelnou manipulaci se zátěží
• Rds(on) 304 mΩ pro snížení ztrát při vedení
• Maximální ztrátový výkon 156 W pro vyšší výkon
• Typické náboje hradla 35 nC pro efektivní řízení spínání
• Jmenovitá hodnota hradla 30 V pro kompatibilitu s běžnými obvody budiče
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 13 A pro udržitelnou manipulaci se zátěží
• Rds(on) 304 mΩ pro snížení ztrát při vedení
• Maximální ztrátový výkon 156 W pro vyšší výkon
• Typické náboje hradla 35 nC pro efektivní řízení spínání
• Jmenovitá hodnota hradla 30 V pro kompatibilitu s běžnými obvody budiče
Aplikace
• Vhodné pro průmyslové výkonové měniče a měniče
• Používá se pro vysokonapěťové stupně pohonu motoru
• Ideální pro spínané napájecí zdroje v průmyslovém prostředí
• Lze použít pro testování vysokého napětí a ochranné obvody
• Vhodné pro robustní montáž průchozím otvorem v ovládacích panelech
• Používá se pro vysokonapěťové stupně pohonu motoru
• Ideální pro spínané napájecí zdroje v průmyslovém prostředí
• Lze použít pro testování vysokého napětí a ochranné obvody
• Vhodné pro robustní montáž průchozím otvorem v ovládacích panelech
V jakém teplotním rozsahu může spolehlivě pracovat?
Je určen pro provoz v rozsahu -55 °C až 150 °C, což je vhodné pro náročné tepelné prostředí.
Jaké pouzdro a montážní metodu používá pro montáž?
Zařízení je dodáváno v pouzdru TO-247AC konfigurováno pro montáž do průchozího otvoru.
Jak jeho charakteristika hradla ovlivňuje výkon spínání?
S typickým nábojem hradla 35 nC vyžaduje zařízení mírnou hnací energii, která vyváží rychlost spínání a požadavky na ovladače.
Jaké je očekávané chování napětí ve směru pohybu během vedení?
Propojovací napětí je specifikováno na 1,2 V, což označuje jeho pokles vedení v podmínkách propojovacího šikmého šikmého šikmého šikmého šikmého šikmého šikmého šikmého šikmého šikmého šikmého šikmého šikmého šikmého šikmého šikmého šikmého šikmého šikmého šikmého šikmého šikmého šikmého šikmého šikmého šikmého šikmého šikmého šikmého šikmého šikmého šikmého šikmého šik
Související odkazy
- řada: E Výkonový MOSFET SIHG15N80AE-GE3 N-kanálový 13 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E Výkonový MOSFET SIHG21N80AE-GE3 N-kanálový 17.4 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E Výkonový MOSFET SIHG17N80AE-GE3 N-kanálový 15 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: EF Výkonový MOSFET SIHG15N80AEF-GE3 N-kanálový 13 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: EF Výkonový MOSFET SIHG11N80AEF-GE3 N-kanálový 8 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E Výkonový MOSFET SIHB15N80AE-GE3 N-kanálový 13 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E Series MOSFET SIHG026N65E-GE3 N-kanálový 88 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E Výkonový MOSFET SIHG20N50E-GE3 N-kanálový 19 A 500 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení