řada: E Výkonový MOSFET SIHB15N80AE-GE3 N-kanálový 13 A 800 V Vishay, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 210-4969
- Výrobní číslo:
- SIHB15N80AE-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*
1 926,60 Kč
(bez DPH)
2 331,20 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Poslední zásoby RS
- Posledních 2 950 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 38,532 Kč | 1 926,60 Kč |
| 100 - 200 | 30,826 Kč | 1 541,30 Kč |
| 250 + | 26,972 Kč | 1 348,60 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 210-4969
- Výrobní číslo:
- SIHB15N80AE-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 13A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 800V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | E | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 304mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 35nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 156W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Šířka | 9.65mm | |
| Délka | 14.61mm | |
| Výška | 4.06mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 13A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 800V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada E | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 304mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 35nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 156W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Šířka 9.65mm | ||
Délka 14.61mm | ||
Výška 4.06mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový MOSFET Vishay řady E, napětí zdroje vypouštění 800 V, nepřetržitý vypouštěcí proud 13 A – SIHB15N80AE-GE3
Tento výkonový MOSFET je vysokonapěťový N-kanálový spínač určený pro aplikace s převodem výkonu a řízením pro povrchovou montáž. Pracuje v širokém rozsahu okolního prostředí a je navržen tak, aby zvládal zvýšené napětí a tepelné zátěže v náročných elektronických systémech při splnění požadavků na ochranu životního prostředí RoHS.
Charakteristiky a výhody:
• Jmenovitý odvod 800 V umožňuje vysokonapěťové spínání
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 13 A podporuje značné zátěžové proudy
• Rds(on) 304 mΩ minimalizuje ztráty při vedení během provozu
• Rozptýlení výkonu 156 W umožňuje udržitelnou tepelnou manipulaci
• Typické nabíjení hradla 35 nC pomáhá předvídat velikost pohonu hradla
• Tolerance hradla 30 V umožňuje robustní napětí hradla
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 13 A podporuje značné zátěžové proudy
• Rds(on) 304 mΩ minimalizuje ztráty při vedení během provozu
• Rozptýlení výkonu 156 W umožňuje udržitelnou tepelnou manipulaci
• Typické nabíjení hradla 35 nC pomáhá předvídat velikost pohonu hradla
• Tolerance hradla 30 V umožňuje robustní napětí hradla
Aplikace
• Používá se pro vysokonapěťové napájecí zdroje a měniče
• Vhodné pro průmyslové stupně pohonu motoru
• Ideální pro primární spínače spínaných napájecích zdrojů
• Lze použít pro svařování nebo plazmové řídicí moduly
• Používá se s vysokonapěťovými měniči v průmyslových zařízeních
• Vhodné pro průmyslové stupně pohonu motoru
• Ideální pro primární spínače spínaných napájecích zdrojů
• Lze použít pro svařování nebo plazmové řídicí moduly
• Používá se s vysokonapěťovými měniči v průmyslových zařízeních
Jaký typ pouzdra je třeba vzít v úvahu pro řízení teploty na deskách?
Dodává se v pouzdru TO-263 pro povrchovou montáž, který nabízí nízkoprofilovou tepelnou cestu k mědi PCB pro chlazení.
Jak se zařízení chová při extrémních teplotách?
Zařízení je určeno pro provoz v rozsahu -55 °C až 150 °C, což umožňuje použití v prostředí se startem za studena i při vysokých teplotách.
Jaká omezení hradlového pohonu musí konstruktéři dodržovat?
Hradlo nesmí překročit ±30 V vzhledem ke zdroji, aby se zabránilo poškození oxidu hradla a zajistilo spolehlivé spínání.
Jaká charakteristika přímého vedení je přítomna při vedení tělesné diody?
Vnitřní dioda vykazuje přímé napětí přibližně 1,2 V při vedení v podmínkách reverzní polarity.
Související odkazy
- řada: E Výkonový MOSFET SIHB15N80AE-GE3 N-kanálový 13 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SIHB24N80AE-GE3 N-kanálový 21 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SIHB21N80AE-GE3 N-kanálový 17.4 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SIHB11N80AE-GE3 Typ N-kanálový 8 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E Výkonový MOSFET SIHB17N80AE-GE3 N-kanálový 15 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E Výkonový MOSFET SIHG15N80AE-GE3 N-kanálový 13 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E Výkonový MOSFET SIHP15N80AE-GE3 N-kanálový 13 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SiHB17N80E MOSFET SIHB17N80E-GE3 N-kanálový 15 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení