řada: E MOSFET Typ N-kanálový 13 A 800 V Vishay, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 210-4969
- Výrobní číslo:
- SIHB15N80AE-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*
1 926,60 Kč
(bez DPH)
2 331,20 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 2 950 jednotka(y) budou odesílané od 15. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 38,532 Kč | 1 926,60 Kč |
| 100 - 200 | 30,826 Kč | 1 541,30 Kč |
| 250 + | 26,972 Kč | 1 348,60 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 210-4969
- Výrobní číslo:
- SIHB15N80AE-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 13A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 800V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | E | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 304mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 35nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 158W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 9.65mm | |
| Výška | 4.06mm | |
| Délka | 14.61mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 13A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 800V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada E | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 304mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 35nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 158W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 9.65mm | ||
Výška 4.06mm | ||
Délka 14.61mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový MOSFET Vishay řady E, napětí zdroje vypouštění 800 V, nepřetržitý vypouštěcí proud 13 A – SIHB15N80AE-GE3
Tento výkonový MOSFET je vysokonapěťový N-kanálový tranzistor určený pro napájecí spínání v průmyslové elektronice. Je navržen pro montáž na povrch v pouzdrech TO-263 a pracuje v širokém tepelném rozsahu pro náročné aplikace, kde je vyžadována robustní manipulace s napětím a kompaktní montáž.
Charakteristiky a výhody:
• Jmenovitý odvod 800 V umožňuje vysokonapěťové spínací aplikace • Nepřetržitý vypouštěcí proud 13 A podporuje značné zátěžové proudy • Rds(on) 304 mΩ snižuje ztráty při vedení během provozu • Typický náboj hradla 35 nC umožňuje efektivní řízení spínání • Maximální pohon hradla 30 V umožňuje běžná napětí pohonu hradla • Rozptýlení výkonu 156 W zlepšuje tepelnou manipulaci při zátěži
Aplikace
• Vhodné pro vysokonapěťové stupně pohonu motoru v automatizačních systémech • Ideální pro napájecí zdroje vyžadující kompaktní spínače pro povrchovou montáž • Používá se pro úkoly spínání průmyslových měničů a měničů • Lze použít pro ochranu proti vysokému napětí a svorkové obvody
V jakém teplotním rozsahu může pracovat?
Pracuje od -55 °C až do maximální teploty spoje 150 °C pro prostředí s vysokými teplotami.
Jaké pouzdro a montážní metoda používá?
Dodává se v pouzdru TO-263 určeném pro povrchovou montáž na desky.
Jaká omezení pohonu hradla by měli konstruktéři dodržovat?
Zařízení nesmí překročit napětí mezi bránou a zdrojem 30 V, aby se zabránilo namáhání brány.
Jak jeho rozptyl výkonu ovlivňuje tepelný design?
Jmenovitá hodnota 156 W vede chladič a alokaci mědi PCB, aby se udržely teploty spoje v mezích.
Jaká konfigurace kolíků je k dispozici?
Součást nabízí tříkolíkové uspořádání kompatibilní se standardními uspořádáními výkonových MOSFET.
Související odkazy
- řada: E MOSFET SIHB15N80AE-GE3 Typ N-kanálový 13 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET Typ N-kanálový 15 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET Typ N-kanálový 17.4 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET Typ N-kanálový 8 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET Typ N-kanálový 21 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SIHB17N80AE-GE3 Typ N-kanálový 15 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SIHB21N80AE-GE3 Typ N-kanálový 17.4 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SIHB11N80AE-GE3 Typ N-kanálový 8 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení