řada: E MOSFET SIHB17N80AE-GE3 Typ N-kanálový 15 A 800 V Vishay, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 210-4972
Výrobní číslo:: SIHB17N80AE-GE3
Výrobce:: Vishay

řada: E MOSFET SIHB17N80AE-GE3 Typ N-kanálový 15 A 800 V Vishay, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

290,47 Kč

(bez DPH)

351,47 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

Plus 735 jednotka(y) budou odesílané od 15. června 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za balení*
5 +	58,094 Kč	290,47 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 210-4972
Výrobní číslo:: SIHB17N80AE-GE3
Výrobce:: Vishay

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Vishay
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	15A
	Maximální napětí na zdroji Vds	800V
	Typ balení	TO-263
	Řada	E
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	250mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd	179W
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	41nC
	Přímé napětí Vf	1.2V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	30V
	Maximální provozní teplota	150°C
	Výška	4.06mm
	Délka	14.61mm
	Normy/schválení	No
	Šířka	9.65mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Vishay
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 15A
	Maximální napětí na zdroji Vds 800V
	Typ balení TO-263
	Řada E
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 250mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd 179W
	Minimální provozní teplota -55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 41nC
	Přímé napětí Vf 1.2V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V
	Maximální provozní teplota 150°C
	Výška 4.06mm
	Délka 14.61mm
	Normy/schválení No
	Šířka 9.65mm
	Automobilový standard Ne

Datasheet - SIHB17N80AE-GE3

Výkonový MOSFET Vishay řady E, napětí zdroje vypouštění 800 V, nepřetržitý vypouštěcí proud 15 A – SIHB17N80AE-GE3

Tento výkonový MOSFET je vysokonapěťové N-kanálové zařízení navržené pro spínání a převod výkonu v průmyslových a elektronických systémech. Funguje jako tranzistor s vylepšovacím režimem a je dodáván v pouzdru TO-263 pro povrchovou montáž pro použití na obsazených deskách obvodů. Součást je určena pro aplikace vyžadující vysoké odvodňovací napětí zdroje a kompaktní tepelné řízení.

Charakteristiky a výhody:

• Jmenovitá hodnota drain-zdroj 800 V umožňuje vysokonapěťové spínání
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 15 A podporuje značné zátěžové proudy
• Rds(on) 250 mΩ snižuje ztráty při vedení při zátěži
• Kapacita rozptylu výkonu 179 W pomáhá zajistit tepelnou stabilitu
• Typické náboje hradla 41 nC zajišťuje rychlejší přepínání
• Limit Vgs 30 V chrání hradlo před přepětím

Aplikace

• Vhodné pro vysokonapěťové spínání SMPS na primární straně
• Ideální pro přepínání stupňů pohonu průmyslových motorů
• Používá se pro přední koncové měniče s korekcí účiníku
• Lze použít pro vysokonapěťové sekce měničů a UPS

V jakém teplotním rozsahu může pracovat?

Funguje v extrémních podmínkách prostředí od -55 °C do maximální provozní teploty 150 °C, což je vhodné pro prostředí s vysokou teplotou.

Kolik elektrických připojení má k desce plošných spojů?

Zařízení poskytuje tři elektrické kolíky kompatibilní s běžnou topologií MOSFET pro připojení drain, hradla a zdroje.

Jaké úvahy o balení ovlivňují rozptyl tepla?

Pouzdro TO-263 pro povrchovou montáž nabízí nízkoprofilovou tepelnou cestu k PCB a je určeno pro připojení k měděnému pozemku vhodné velikosti pro šíření tepla.

Je vhodný pro konstrukce kvalifikované pro automobilový průmysl?

Není specifikován jako odpovídající normě pro automobilový průmysl a měl by být odpovídajícím způsobem vyhodnocen pro aplikace ve vozidlech.