řada: E MOSFET SIHB17N80AE-GE3 Typ N-kanálový 15 A 800 V Vishay, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

290,47 Kč

(bez DPH)

351,47 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 735 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
5 +58,094 Kč290,47 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
210-4972
Výrobní číslo:
SIHB17N80AE-GE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

15A

Maximální napětí na zdroji Vds

800V

Řada

E

Typ balení

TO-263

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

250mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí zdroje brány Vgs

30 V

Maximální ztrátový výkon Pd

179W

Typický náboj brány Qg @ Vgs

41nC

Přímé napětí Vf

1.2V

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

No

Délka

14.61mm

Výška

4.06mm

Šířka

9.65 mm

Automobilový standard

Ne

Výkonový MOSFET řady Vishay E má typ sady D2PAK (TO-263) s vypouštěcím proudem 15 A.

Nízký parametr Ron x Qg (FOM)

Nízká efektivní kapacita (co(er))

Snížené ztráty ve spínaní a vedení

Lavinová energie jmenovitá (UIS)

Související odkazy