řada: E MOSFET Typ N-kanálový 8 A 800 V Vishay, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*

865,70 Kč

(bez DPH)

1 047,50 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Poslední zásoby RS
  • Posledních 1 950 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks
za jednotku
za tubu*
50 +17,314 Kč865,70 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
210-4966
Výrobní číslo:
SIHB11N80AE-GE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

8A

Maximální napětí na zdroji Vds

800V

Řada

E

Typ balení

TO-263

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

391mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Přímé napětí Vf

1.2V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

42nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

78W

Maximální napětí zdroje brány Vgs

30 V

Maximální provozní teplota

150°C

Délka

14.61mm

Normy/schválení

No

Výška

4.06mm

Šířka

9.65 mm

Automobilový standard

Ne

Výkonový MOSFET řady Vishay E má typ balení D2PAK (TO-263) s jednou konfigurací.

Nízký parametr Ron x Qg (FOM)

Nízká efektivní kapacita (CISS)

Snížené ztráty ve spínaní a vedení

Mimořádně nízký náboj řídicí elektrody (Qg)

Lavinová energie jmenovitá (UIS)

Integrovaná ochrana proti elektrostatickému výboji Zenerovy diody

Související odkazy