řada: EF Výkonový MOSFET SIHG15N80AEF-GE3 N-kanálový 13 A 800 V Vishay, TO-247AC, počet kolíků: 3 kolíkový

Skladové číslo RS:: 225-9913
Výrobní číslo:: SIHG15N80AEF-GE3
Výrobce:: Vishay

řada: EF Výkonový MOSFET SIHG15N80AEF-GE3 N-kanálový 13 A 800 V Vishay, TO-247AC, počet kolíků: 3 kolíkový

Mezisoučet (25 jednotky/-ek, do tubusu po 25 ks)*

1 001,83 Kč

(bez DPH)

1 212,20 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Poslední zásoby RS

Posledních 525 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa

Ks	za jednotku	za tubu*
25 +	40,073 Kč	1 001,83 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 225-9913
Výrobní číslo:: SIHG15N80AEF-GE3
Výrobce:: Vishay

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Vishay
	Typ kanálu	N
	Typ produktu	Výkonový MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	13A
	Maximální napětí na zdroji Vds	800V
	Řada	EF
	Typ balení	TO-247AC
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	350mΩ
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	30V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	53nC
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd	156W
	Přímé napětí Vf	1.2V
	Maximální provozní teplota	150°C
	Délka	6.73mm
	Výška	10.41mm
	Normy/schválení	RoHS
	Šířka	2.39mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Vishay
	Typ kanálu N
	Typ produktu Výkonový MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 13A
	Maximální napětí na zdroji Vds 800V
	Řada EF
	Typ balení TO-247AC
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 350mΩ
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 53nC
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd 156W
	Přímé napětí Vf 1.2V
	Maximální provozní teplota 150°C
	Délka 6.73mm
	Výška 10.41mm
	Normy/schválení RoHS
	Šířka 2.39mm
	Automobilový standard Ne

Datasheet - SIHG15N80AEF-GE3

Výkonový tranzistor MOSFET řady Vishay EF, napětí zdroje vypouštění 800 V, nepřetržitý vypouštěcí proud 13 A – SIHG15N80AEF-GE3

Tento výkonový MOSFET je vysokonapěťové spínací zařízení s N-kanálem navržené pro náročná prostředí výkonové elektroniky. Je určen pro použití tam, kde je vyžadována robustní manipulace s vysokým napětím a významná schopnost stejnosměrného proudu, pracuje v širokém rozsahu okolních teplot a je dodáván v pouzdru TO-247AC pro montáž na povrchy.

Charakteristiky a výhody:

• Jmenovité napětí 800 V umožňuje integraci vysokonapěťového systému
• nepřetržitý vypouštěcí proud 13 A podporuje mírný průtok výkonu
• Nízká hodnota Rds(on) 350 mΩ snižuje ztráty při vedení během provozu
• Rozptýlení výkonu 156 W umožňuje trvalé tepelné zatížení
• Typický náboj hradla 53 nC usnadňuje předvídatelný výkon spínání
• Tolerance hradla ±30 V umožňuje širokou flexibilitu řídicího napětí

Aplikace

• Používá se pro vysokonapěťové stupně převodu napájení
• Vhodné pro spínání průmyslových motorových pohonů
• Ideální pro spínané napájecí zdroje v energetických systémech
• Lze použít pro spínané indukční spínání zátěže
• Používá se s ovladači hradla pro rychlé spínání topologií

Jaké extrémní teploty dokáže při provozu odolat?

Je určen pro nepřetržitý provoz v rozsahu -55 °C až 150 °C, což umožňuje použití v chladných i vysokoteplotních prostředích.

Jak balení ovlivňuje volbu teploty a montáže?

Pouzdro TO-247AC nabízí velkou plochu tepelné podložky vhodnou pro tepelné chlazení a snadnou montáž pájením nebo svorkami pro řízení rozptylu.

Jaká omezení pohonu hradla by měla být dodržována?

Zařízení toleruje napětí zdroje hradla až 30 V, takže ovladače hradla by měly být vybrány tak, aby zůstaly v tomto limitu, aby se zabránilo přetížení hradla.

Jaké chování při přímé vodivosti lze očekávat při přepínání?

Propojovací napětí je specifikováno na 1,2 V, což informuje o předpokládaném poklesu vodivého napětí během zapnutí a pomáhá zvětšit tlumiče nebo upínací sítě.