Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	onsemi
	Typ kanálu	Typ N
	Typ produktu	MOSFET + Dioda
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	24A
	Maximální napětí na zdroji Vds	650V
	Typ balení	TO-263
	Řada	SUPERFET III
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	125mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd	181W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	46nC
	Přímé napětí Vf	1.2V
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální provozní teplota	150°C
	Výška	4.6mm
	Délka	14.6mm
	Normy/schválení	RoHS
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka onsemi
	Typ kanálu Typ N
	Typ produktu MOSFET + Dioda
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 24A
	Maximální napětí na zdroji Vds 650V
	Typ balení TO-263
	Řada SUPERFET III
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 125mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd 181W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 46nC
	Přímé napětí Vf 1.2V
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální provozní teplota 150°C
	Výška 4.6mm
	Délka 14.6mm
	Normy/schválení RoHS
	Automobilový standard Ne

Datasheet - FCB125N65S3

ON SEMICONDUCTOR SUPERFET III série N-Channel MOSFET je vysokonapěťová superjunction (SJ) MOSFET rodina, která využívá technologii vyrovnávání náboje pro vynikající nízký odpor a nižší výkon nabíjení hradla. Tato technologie Advanced je navržena tak, aby minimalizovala ztráty vedení, poskytuje vynikající spínací výkon a vydržela extrémní rychlost dv/dt.

Jmenovitý proud nepřetržitého vypouštění je 24A

Hodnota odporu je 125 mohmů

Mimořádně nízké nabití hradla

Nízká skladovaná energie ve výstupní kapacitě

100 % testovány ohledně lavinové funkčnosti

Typ balení je D2-pak

řada: SUPERFET III MOSFET + Dioda Typ N-kanálový 24 A 650 V onsemi, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS