řada: SiHP068N60EF MOSFET SIHP068N60EF-GE3 Typ N-kanálový 41 A 600 V Vishay, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 204-7256
- Výrobní číslo:
- SIHP068N60EF-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
268,90 Kč
(bez DPH)
325,35 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 980 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 + | 53,78 Kč | 268,90 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 204-7256
- Výrobní číslo:
- SIHP068N60EF-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 41A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | SiHP068N60EF | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 68mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 250W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 51nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 4.24mm | |
| Délka | 27.69mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 41A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada SiHP068N60EF | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 68mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 250W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 51nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 4.24mm | ||
Délka 27.69mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonové tranzistory MOSFET řady Vishay EF s diodou rychlého tělesa mají technologii řady E 4. Generace. Snížila ztráty při spínání a vedení.
Jmenovitá lavinová energie (UIS)
Nízký parametr Ron x Qg (FOM)
Související odkazy
- řada: SiHP068N60EF MOSFET Typ N-kanálový 41 A 600 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SiHB068N60EF MOSFET SIHB068N60EF-GE3 Typ N-kanálový 41 A 600 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SiHP052N60EF MOSFET SIHP052N60EF-GE3 Typ N-kanálový 48 A 600 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SiHA125N60EF MOSFET SIHA125N60EF-GE3 Typ N-kanálový 11 A 600 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SIHP065N60E-GE3 Typ N-kanálový 40 A 600 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: SiHA105N60EF MOSFET SIHA105N60EF-GE3 Typ N-kanálový 29 A 600 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: EF MOSFET SiHA186N60EF-GE3 Typ N-kanálový 8.4 A 600 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SiHF30N60E-GE3 Typ N-kanálový 29 A 600 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení