řada: E MOSFET Typ N-kanálový 29 A 600 V Vishay, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*

2 987,60 Kč

(bez DPH)

3 615,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Poslední zásoby RS
  • Posledních 800 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks
za jednotku
za tubu*
50 +59,752 Kč2 987,60 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
145-1911
Výrobní číslo:
SIHF30N60E-GE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

29A

Maximální napětí na zdroji Vds

600V

Řada

E

Typ balení

TO-220

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

125mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

85nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Přímé napětí Vf

1.3V

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20 V

Maximální ztrátový výkon Pd

37W

Maximální provozní teplota

150°C

Délka

10.63mm

Normy/schválení

No

Výška

16.12mm

Šířka

4.83 mm

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN

N-Channel MOSFET, řada E, nízkoúrovňový polovodičový systém Vishay Semiconductor


Výkonové tranzistory MOSFET řady E od Vishay jsou tranzistory s vysokým napětím, které obsahují mimořádně nízký maximální odpor, nízké hodnoty výkonu a rychlé přepínání. Jsou k dispozici v široké škále aktuálních hodnocení. Mezi typické aplikace patří servery a telekomunikační napájecí zdroje, osvětlení LED, konvertory flyback, korekce účiníku (PFC) a napájecí zdroje v režimu přepínání (SMPS).

Charakteristiky


Nízká kvalita (FOM) RDS(on) x QG

Nízká vstupní kapacita (Ciss)

Nízká odolnost (RDS(on))

Mimořádně nízké nabití zadní výklopné stěny (QG)

Rychlé spínání

Snížené ztráty ve spínaní a vedení

Tranzistory MOSFET, Vishay Semiconductor


Související odkazy