řada: SiHA105N60EF MOSFET SIHA105N60EF-GE3 Typ N-kanálový 29 A 600 V Vishay, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 204-7202
- Výrobní číslo:
- SIHA105N60EF-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
491,53 Kč
(bez DPH)
594,75 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 25. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 98,306 Kč | 491,53 Kč |
| 25 - 45 | 83,584 Kč | 417,92 Kč |
| 50 - 120 | 78,644 Kč | 393,22 Kč |
| 125 - 245 | 72,816 Kč | 364,08 Kč |
| 250 + | 61,898 Kč | 309,49 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 204-7202
- Výrobní číslo:
- SIHA105N60EF-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 29A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Řada | SiHA105N60EF | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 102mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30 V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 35W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 53nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 10.3mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 4.7 mm | |
| Výška | 13.8mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 29A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Řada SiHA105N60EF | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 102mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30 V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 35W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 53nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 10.3mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 4.7 mm | ||
Výška 13.8mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonové tranzistory MOSFET řady Vishay EF s diodou rychlého tělesa mají technologii řady E 4. Generace. Snížila ztráty při spínání a vedení.
Nízký parametr Ron x Qg (FOM)
Nízká efektivní kapacita (co(er))
Související odkazy
- řada: SiHA105N60EF MOSFET Typ N-kanálový 29 A 600 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SiHF30N60E-GE3 Typ N-kanálový 29 A 600 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET Typ N-kanálový 29 A 600 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: EF MOSFET SiHP105N60EF-GE3 Typ N-kanálový 29 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SiHB105N60EF MOSFET SIHB105N60EF-GE3 Typ N-kanálový 29 A 600 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SIHB30N60E-GE3 Typ N-kanálový 29 A 600 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SiHG30N60E-GE3 Typ N-kanálový 29 A 600 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SiHG105N60EF MOSFET SIHG105N60EF-GE3 Typ N-kanálový 29 A 600 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
