řada: SiHB068N60EF MOSFET SIHB068N60EF-GE3 Typ N-kanálový 41 A 600 V Vishay, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

482,39 Kč

(bez DPH)

583,69 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 13. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
5 - 2096,478 Kč482,39 Kč
25 - 4582,004 Kč410,02 Kč
50 - 12077,162 Kč385,81 Kč
125 - 24572,372 Kč361,86 Kč
250 +69,456 Kč347,28 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
204-7244
Výrobní číslo:
SIHB068N60EF-GE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

41A

Maximální napětí na zdroji Vds

600V

Řada

SiHB068N60EF

Typ balení

TO-263

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

68mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

51nC

Přímé napětí Vf

1.2V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí zdroje brány Vgs

30 V

Maximální ztrátový výkon Pd

250W

Maximální provozní teplota

150°C

Výška

4.06mm

Šířka

9.65 mm

Délka

14.61mm

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

Výkonové tranzistory MOSFET řady Vishay EF s diodou rychlého tělesa mají technologii řady E 4. Generace. Snížila ztráty při spínání a vedení.

Jmenovitá lavinová energie (UIS)

Nízký parametr Ron x Qg (FOM)

Související odkazy