řada: SiHB068N60EF MOSFET SIHB068N60EF-GE3 Typ N-kanálový 41 A 600 V Vishay, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

837,33 Kč

(bez DPH)

1 013,17 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 03. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za balení*
5 - 20167,466 Kč837,33 Kč
25 - 45142,322 Kč711,61 Kč
50 - 120134,022 Kč670,11 Kč
125 - 245125,674 Kč628,37 Kč
250 +120,634 Kč603,17 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
204-7244
Výrobní číslo:
SIHB068N60EF-GE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

41A

Maximální napětí na zdroji Vds

600V

Typ balení

TO-263

Řada

SiHB068N60EF

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

68mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

51nC

Maximální ztrátový výkon Pd

250W

Minimální provozní teplota

-55°C

Přímé napětí Vf

1.2V

Maximální provozní teplota

150°C

Výška

4.06mm

Délka

14.61mm

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

Výkonové tranzistory MOSFET řady Vishay EF s diodou rychlého tělesa mají technologii řady E 4. Generace. Snížila ztráty při spínání a vedení.

Jmenovitá lavinová energie (UIS)

Nízký parametr Ron x Qg (FOM)

Související odkazy